전자기사 기출문제 목록

전자기사(2019. 9. 21.) 시험일자 : 2019년 9월 21일

1과목 : 전기자기학
1. 평행판 콘덴서의 판 사이가 진공으로 되어 정전 용량이 C0인 콘덴서가 있다. 이 콘덴서에 유전체를 삽입하여 정전 용량 C를 얻었다. 다음 중 틀린 것은?
  • ① 유전체를 삽입한 콘덴서의 정전 용량 C는 진공인 때의 정전 용량 C0보다 커진다.
  • ② 삽입된 유전체 내의 전계는 판 사이가 진공인 경우의 전계보다 강해진다.
  • ③ 두 정전 용량의 비(C/C0)는 유전체 종류에 따라 정해지는 상수이며 비유전율이라 부른다.
  • ④ 유전체의 분극의 세기 P는 분극에 의하여 발생된 전하 밀도와 같다.

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2. 무한 평면 도체표면에서 수직거리 d(m)만큼 떨어진 곳에 점전하 +Q(C)가 있다. 영상전하(image charge)와 평면도체 간에 작용하는 힘 F(N)는?
  • ① , 반발력
  • ② , 흡인력
  • ③ , 반발력
  • ④ , 흡인력

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3. 유전체의 경계조건에 대한 설명으로 틀린 것은?
  • ① 표면전하 밀도란 구속전하의 표면밀도를 말하는 것이다.
  • ② 완전 유전체 내에서는 자유전하는 존재하지 않는다.
  • ③ 경계면에 외부 전하가 있으면, 유전체의 내부와 외부의 전하는 평형되지 않는다.
  • ④ 특수한 경우를 제외학 경계면에서 표면전하 밀도는 영(zero)이다.

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4. 전류에 의한 자계의 방향을 결정해 주는 것은?
  • ① 플레밍의 오른손 법칙
  • ② 암페어의 오른나사 법칙
  • ③ 비오 사바르의 법칙
  • ④ 렌츠의 법칙

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5. 0.2 Wb/m2의 평등자재 속에 자계와 직각방향으로 놓인 길이 30cm인 도선을 자계와 30도의 방향으로 30m/s의 속도로 이동시킬 때, 도체 양단에 유기되는 기전력은 몇 V 인가?
  • ① 0.3
  • ② 0.6
  • ③ 0.9
  • ④ 1.2

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6. 그림과 같이 두 개의 코일이 직렬로 연결되어 있다. 이 회로에 0.5A에 전류를 흘릴 때 이 합성코일에 축적되는 에너지는 몇 J 인가? (단, L1= 20mH, L2 = 40mH, 결합계수 k = 0.5 이다.)
  • ① 1.1 × 10-4
  • ② 2.2 × 10-4
  • ③ 1.1 × 10-2
  • ④ 2.2 × 10-2

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7. 자기인덕턴스 L의 단위는?
  • ① V
  • ② A
  • ③ T
  • ④ H

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8. 비유전율 εr = 80, 비투자율 μr = 1인 전자파의 고유임피던스는 약 몇 Ω 인가?
  • ① 21
  • ② 42
  • ③ 80
  • ④ 160

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9. 물(εr=80, μr=1) 속에서 전자파의 속도는 약 몇 m/s인가?
  • ① 3.35 × 107
  • ② 2.67 × 108
  • ③ 3.0 × 109
  • ④ 9.0 × 109

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10. 영구자석에 관한 설명으로 틀린 것은?
  • ① 한번 자화된 다음에는 자기를 영구적으로 보존하는 자석이다.
  • ② 보자력이 클수록 자계가 강한 영구자석이 된다.
  • ③ 잔류 자속밀도가 클수록 자계가 강한 영구자석이 된다.
  • ④ 자석 재료로 폐회로를 만들면 강한 영구자석이 된다.

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11. 동심구형 콘덴서의 내외 반지름을 각각 10배로 증가시키면 정전용량은 몇 배로 증가하는가?
  • ① 5
  • ② 10
  • ③ 20
  • ④ 100

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12. 반경 a인 구도체에 –Q의 전하를 주고 구도체의 중심 O에서 10a되는 점 P에 10Q의 점전하를 놓았을 때, 직선 OP위의 점 중에서 전위가 0이 되는 지점과 구도체의 중심 O와의 거리는?
  • ① a/5
  • ② a/2
  • ③ a
  • ④ 2a

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13. 정전류가 흐르고 있는 무한 직선도체로부터 수직으로 0.1m만큼 떨어진 점의 자계의 크기가 100AT/m 이면 0.2m 만큼 떨어진 점의 자계의 크기(AT/m)는?
  • ① 50
  • ② 40
  • ③ 30
  • ④ 20

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14. 다음 중 무한 솔레노이드에 전류가 흐를 때에 대한 설명으로 가장 알맞은 것은?
  • ① 내부 자계는 위치에 상관없이 일정하다.
  • ② 내부 자계와 외부 자계는 그 값이 같다.
  • ③ 외부 자계는 솔레노이드 근처에서 멀어질수록 그 값이 작아진다.
  • ④ 내부 자계의 크기는 0 이다.

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15. 면적 A(m2), 간격 d(m)인 평행판 콘덴서의 전극판에 비유전율 εr인 유전체를 가득 채웠을 때 전극판 간에 전압 V(V)를 가하면 전극판을 떼어내는데 필요한 힘은 몇 N 인가?
  • ①
  • ②
  • ③
  • ④

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16. 변위 전류와 가장 관계가 깊은 것은?
  • ① 반도체
  • ② 유전체
  • ③ 자성체
  • ④ 도체

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17. 두 개의 자극판이 놓여 있을 때 자계의 세기 H(AT/m), 자속밀도 B(Wb/m2), 투자율 μ(H/m)인 곳의 자계의 에너지밀도(J/m3)는?
  • ①
  • ②
  • ③
  • ④

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18. 환성철심 코일에 5A의 전류를 흘려 2000AT의 기자력을 생기게 하려면 코일의 권수(회)는?
  • ① 10000
  • ② 500
  • ③ 400
  • ④ 250

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19. 자성체에 외부의 자계 H0를 가하였을 때 자화의 세기 J와의 관계식은? (단, N은 감자율, μ는 투자율이다.)
  • ①
  • ②
  • ③
  • ④

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20. 무한장 선전하와 무한평면 전하에서 r(m) 떨어진 점의 전위는 각각 몇 V 인가? (단, ρL은 선전하밀도, ρs는 평면전하밀도이다.)
  • ① 무한직선 : ∞, 무한평면도체 : ∞
  • ② 무한직선 : , 무한평면도체 :
  • ③ 무한직선 : , 무한평면도체 :
  • ④ 무한직선 : , 무한평면도체 : ∞

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2과목 : 회로이론
21. 코일과 콘덴서에서 실제로 급격히 변화할 수 없는 것은?
  • ① 코일에서 전류, 콘덴서에서 전류
  • ② 코일에서 전압, 콘덴서에서 전압
  • ③ 코일에서 전압, 콘덴서에서 전류
  • ④ 코일에서 전류, 콘덴서에서 전압

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22. L1 = 20H, L2 = 5H인 전자 결합회로에서 결합계수 K = 0.5일 때 상호인덕턴스 M은 몇 H 인가?
  • ① 5
  • ② 7.5
  • ③ 8
  • ④ 9

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23. 오버슈트(overshoot)의 정의로 옳은 것은?
  • ① 최종치의 90%에 도달하는 시간
  • ② 과도 시간 중 최초의 피크치와 최종치의 차이
  • ③ 응답이 최초로 목표값이 50%가 되는데 필요한 시간
  • ④ 응답이 요구되는 오차 이내로 정착되는데 필요한 시간

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24. 다음 회로망은 T형 회로 및 π형 회로의 종속 접속으로 이루어졌다. 이 회로망의 ABCD 파라미터 중 틀린 것은?
  • ① A = 7
  • ② B = 48
  • ③ C = 6
  • ④ D = 7

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25. 선형 회로에서 시변 용량을 갖는 커패시터의 전류 i(t)는?
  • ①
  • ②
  • ③
  • ④

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26. RL 직렬회롤에서 t=0일 때 직류 전압 100V를 인가하면, 흐르는 전류 i(t)는 몇 A 인가? (단, R = 50Ω, L = 10, i(0) = 0 이다.)
  • ①
  • ②
  • ③
  • ④

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27. te-t의 Laplace 변환값은?
  • ①
  • ②
  • ③
  • ④

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28. 입력신호가 감쇠되지 않고 잘 통과되는 주파수 범위를 나타내는 용어는?
  • ① 저지 대역
  • ② 상한 차단 주파수
  • ③ 통과 내역
  • ④ 하한 차단 주파수

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29. 이상적인 전류원의 내부 임피던스 Z는?
  • ① Z = 0
  • ② Z = 1Ω
  • ③ Z = ∞
  • ④ Z는 정해지지 않는다.

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30. 다음 회로에서 전류 i1은 약 몇 A 인가?
  • ① 0.12
  • ② 0.32
  • ③ 0.62
  • ④ 0.92

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31. 그림과 같은 저역통과 RC회로에 스텝입력전압(step input voltage)을 가했을 때 출력전압의 설명으로 옳은 것은? (단, 커패시터 C의 초기전압은 0 이다.)
  • ① 계단파형이 나타난다.
  • ② 0부터 지수적으로 증가한다.
  • ③ 처음에는 계단전압으로 변했다가 지수적으로 감쇠한다.
  • ④ 직류성분이 나타나지 않는다.

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32. 0.4mH인 코일에 흐르는 전류가 mA라 하면 t = 0 일 때 코일 양단전압의 절대치는 몇 V 인가?
  • ① 0.2
  • ② 2
  • ③ 5
  • ④ 50

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33. 다음 전류파형의 실효치(RMS)는?
  • ①
  • ②
  • ③
  • ④

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34. 전압 e(t) = e-t + 2e-2t의 라플라스 변환 E(s)는?
  • ①
  • ②
  • ③
  • ④

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35. 다음의 단위 임펄스 함수(unit impulse function) δ(t)에 관한 설명으로 옳은 것은?
  • ① 폭은 거의 0이고 높이는 거의 무한대가 되며 면적은 1이 되는 펄스이다.
  • ② 임의 회로망의 입력전압으로 δ(t)를 가하면 출력 전압은 입력전압과 같게 된다.
  • ③
  • ④ 단위 램프 함수(unit ramp function)를 미분한 것이다.

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36. 어떤 코일에 흐르는 전류가 0.01s 사이에 일정하게 50A로부터 30A로 변할 때, 20V의 기전력이 발생한다고 하면 자기인덕턴스는 몇 mH인가?
  • ① 5
  • ② 10
  • ③ 15
  • ④ 20

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37. 다음 신호 에 대한 라플라스 변환은?
  • ①
  • ②
  • ③
  • ④

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38. RLC 병렬공진회로에 대한 양호도(Qo : Quality factor)의 표현으로 옳은 것은?
  • ①
  • ②
  • ③
  • ④

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39. 1000mH인 코일의 리액턴스가 377Ω일 때 주파수는 약 몇 Hz인가?
  • ① 6
  • ② 36
  • ③ 60
  • ④ 360

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40. 다음 그림과 같은 4단자 회로망에서 4단자 정수를 ABCD 파라미터로 나타낼 때 A는? (단, A는 개방 역방향 전압이득이다.)
  • ①
  • ② Z1
  • ③
  • ④ 1

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3과목 : 전자회로
41. 레큘레이터 IC의 정전압조정기가 무부하 출력전압 10.55V, 최대 부하 출력전압 10.49V 일 때, 백분율로 표현된 부하전압 변동률은 약 몇 % 인가?
  • ① 0.384
  • ② 0.572
  • ③ 0.716
  • ④ 0.924

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42. 다이오드에 대한 설명 중 틀린 것은?
  • ① 다이오드에 역방향 전압을 가하면 공핍영역은 넓어진다.
  • ② 다이오드의 항복(breakdown)현상은 순방향 전압이 과도하면 발생한다.
  • ③ P형 반도체는 3가 원소를 도핑함으로써 얻을 수 있다.
  • ④ 다이오드에 순방향 전압을 가했을 때 흐르는 전류는 주로 포화전류에 의한 것이다.

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43. 다음의 단상반파 정류회로에서 입력신호가 e = √2·100·sin(50×2πt) V일 때, 직류 전압 평균치 Edc는 약 몇 V 인가? (단, R = 10Ω이고, 다이오드는 이상적인 소자)
  • ① 141
  • ② 90
  • ③ 70
  • ④ 45

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44. 펄스 반복주파수 600Hz, 펄스폭 1.5μs인 펄스의 충격계수 D(Duty factor)는?
  • ① 3×10-4
  • ② 6×10-4
  • ③ 9×10-4
  • ④ 12×10-4

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45. 다음 연산증폭기 회로에서 출력 임피던스는 약 몇 Ω인가? (단, 개루프 전압증폭도 A는 10000이고, 출력임피던스는 50Ω 이다.)
  • ① 0.1
  • ② 0.5
  • ③ 1.0
  • ④ 5.0

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46. 슬루 레이트(slew rate)의 단위는?
  • ① μs/V
  • ② μs/A
  • ③ V/μs
  • ④ A/μs

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47. 연산증폭기를 이용한 가중가산기(weighted-sum)에서 Rf=30kΩ이고, vo = -(v1+2v2+3v3)일때 R1, R2, R3는 각각 얼마인가?
  • ① R1 = 30kΩ, R2 = 15kΩ, R3 = 10kΩ
  • ② R1 = 10kΩ, R2 = 15kΩ, R3 = 30kΩ
  • ③ R1 = 60kΩ, R2 = 30kΩ, R3 = 15kΩ
  • ④ R1 = 15kΩ, R2 = 30kΩ, R3 = 60kΩ

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48. 발진 회로의 발진의 조건을 옳은 것은?
  • ① 귀환 루프의 위상 천이가 0°이다.
  • ② 귀환 루프의 위상 천이가 180°이다.
  • ③ 귀환 루프의 이득이 0 이다.
  • ④ 귀환 루프의 이득이 1/2 이다.

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49. 단위이득주파수 fT가 125MHz인 트랜지스터가 대역폭 주파수 영역에서 전압이득이 26dB인 증폭기로 사용될 때 이상적으로 가질 수 있는 대역폭은 약 몇 MHz인가? (단, 저역 차단주파수는 없다.)
  • ① 9.6
  • ② 6.25
  • ③ 4.8
  • ④ 12.5

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50. 다음은 이상적인 연산 증폭기를 사용한 차동증폭기이다. 출력전압 Vo는 몇 V 인가?
  • ① 5
  • ② 5/2
  • ③ 5/4
  • ④ 2

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51. 다음의 트랜지스터 회로에서 VCC가 10V, RB가 300kΩ이고 RC가 1kΩ일 때, 베이스전류 IB 컬렉터-이미터 전압 VCE로 옳은 것은? (단, VBE = 0.7V이고, β = 100 이다.)
  • ① IB = 31 μA, VCE = 6.9V
  • ② IB = 310 μA, VCE = 6.9V
  • ③ IB = 3.1 mA, VCE = 9.3V
  • ④ IB = 3.1 μA, VCE = 9.3V

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52. 출력 전압파형이 입력파형과 똑같은 형태를 갖는 증폭기는? (단, 위상 무시)
  • ① A급 증폭기
  • ② B급 증폭기
  • ③ C급 증폭기
  • ④ AB급 증폭기

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53. 이 회로의 동작으로 적절한 논리식은?
  • ①
  • ②
  • ③
  • ④

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54. 전가산기를 반가산기 몇 개와 어떤 논리게이트 몇 개로 구성하는 것이 가장 적당한가?
  • ① 반가산기 2개, AND 게이트 1개
  • ② 반가산기 2개, OR 게이트 2개
  • ③ 반가산기 3개, OR 게이트 1개
  • ④ 반가산기 2개, OR 게이트 1개

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55. 부궤환 증폭기에 대한 설명 중 옳은 것은?
  • ① 이득만 감소되고 기타 특성에는 변화가 없다.
  • ② 이득이 커지고, 잡음, 왜율, 대역폭 특성이 개선된다.
  • ③ 이득이 감소되는 반면 잡음, 왜율, 대역폭은 증가된다.
  • ④ 이득, 잡음, 왜율은 감소되는 반면 대역폭이 넓어진다.

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56. 아래는 7 세그면트 LED 디스플레이의 진리표이다. a~g의 세그먼트 중에서 d세그먼트를 동작시키기 위한 출력 Yd의 논리회로의 식은? (단, 1010 ~ 1111은 don't care 조건이다.)
  • ①
  • ②
  • ③
  • ④

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57. 트랜지스터 회로가 선형영역에서 동작할 때의 관계식으로 틀린 것은?
  • ①
  • ②
  • ③
  • ④

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58. B급 푸시풀(push-pull) 증폭기의 직류 공급 전력은? (단, VCC는 공급 전압, Im은 최대 컬렉터 전류이다.)
  • ①
  • ②
  • ③
  • ④

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59. 어떤 차동증폭기의 차동이득은 1000이며, 동상이득은 0.1일 때, 동상신호 제거비 CMRR은 몇 dB인가?
  • ① 10,000
  • ② 1000
  • ③ 80
  • ④ 60

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60. 다음 회로의 입출력 특성곡선으로 적절한 것은? (단, R = 10Ω, 다이오드는 이상적인 소자이며, slope은 절댓값이다.)
  • ①
  • ②
  • ③
  • ④

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4과목 : 물리전자공학
61. 접합형 트랜지스터에서 스위칭 작업에 필요한 동작영역은?
  • ① 포화 영역, 활성 영역
  • ② 활성 영역, 차단 영역
  • ③ 포화 영역, 차단 영역
  • ④ 활성 영역, 역활성 영역

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62. 다음 중 에너지밴드에 속하지 않는 것은?
  • ① 전도대
  • ② 금지대
  • ③ 가전자대
  • ④ 전기대

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63. 진성 반도체에 대한 설명 중 틀린 것은?
  • ① 반도체의 저항 온도계수는 양(+)이다.
  • ② 운반체(carrier)의 밀도는 온도가 상승하면 증가한다.
  • ③ Fermi 준위는 어떤 온도와 관계없이 금지대의 중앙에 위치한다.
  • ④ 전자의 농도와 정공의 농도는 같다.

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64. 물질에서 직접적으로 전자가 방출될 수 있는 조건이 아닌 것은?
  • ① 열을 가한다.
  • ② 빛을 가한다.
  • ③ 전계를 가한다.
  • ④ 압축을 한다.

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65. 열전자 방출을 할 때 전계에 의해서 일함수가 적어져서 열전자 방출이 쉬워지는 현상을 무엇이라 하는가?
  • ① Schottk 효과
  • ② Zeemann 효과
  • ③ Seebeck 효과
  • ④ Hall 효과

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66. 터널 효과의 가능성을 나타내는 원리는 어느 것인가?
  • ① 제벡 효과
  • ② 상대성 원리
  • ③ 드브로이 방정식
  • ④ 슈뢰딩거의 파동방정식

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67. 어느 열음극의 일함수(work functuon)의 값이 1/2로 되면 열전자 전류밀도는 어떻게 되는가?
  • ① 배
  • ② 배
  • ③ 배
  • ④ 배

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68. 순방향 바이어스전압이 PN접합 다이오드 양단에 인가될 때 공핍층 가까이에서 소수캐리어의 농도의 변화는 어떻게 되는가?
  • ① P형 영역과 N형 영역에서 동시에 증가한다.
  • ② P형 영역과 N형 영역에서 동시에 감소한다.
  • ③ P형 영역에서 증가하고, N형 영역에서 감소한다.
  • ④ N형 영역에서 증가하고, P형 영역에서 감소한다.

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69. 터널 다이오드(tunnel diode)의 설명 중 틀린 것은?
  • ① 부성 저항 특성을 나타낸다.
  • ② 마이크로파 발진용으로 사용된다.
  • ③ 공간 전하층이 일반 다이오드 보다 넓다.
  • ④ 역바이어스 상태에서 전도성이 양호하다.

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70. 트랜지스터 제조시 컬렉터 내부용량과 베이스 저항을 작게 하는 이유로 가장 적절한 것은?
  • ① 순방향 특성을 개선하기 위하여
  • ② 고주파 특성을 개선하기 위하여
  • ③ 역방향 내전압을 증가시키기 위하여
  • ④ 구조를 간단히 하고 소형화시키기 위하여

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71. 광도전 반도체 소자는?
  • ① 터널(tunnel) 다이오드
  • ② 버렉터(varactor) 다이오드
  • ③ 서미스터(thermistor)
  • ④ CdS 셀

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72. 다음 중 플라즈마(Plasma)와 같은 기체 상태의 경우 적용될 수 있는 분포식은?
  • ① Einstein의 관계식
  • ② Schrödinger 방정식
  • ③ Maxwell-Boltzmann 방정식
  • ④ 1차원의 Poisson 방정식

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73. 5600Å의 파장을 가진빛이 광전면에 투사되어 방출된 광전자의 최대 에너지가 0.68eV 이라고 하면 광전면의 일함수는 약 얼마인가? (단, 플랑크 상수 = 6.6×10-34 [J·S], 광속도 = 3×108m/s, e = 1.6×10-19 [C])
  • ① 1.5V
  • ② 2.6V
  • ③ 3.6V
  • ④ 4.0V

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74. 학산 정수 D, 이동도 μ, 절대온도 T 간의 관계식으로 옳은 것은? (단, k는 볼츠만의 상수이고, e는 캐리어의 전하이다.)
  • ①
  • ②
  • ③
  • ④

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75. 균등전계 내 전자의 운동에 관한 설명 중 틀린 것은?
  • ① 전자는 전계와 반대 방향의 일정한 힘을 받는다.
  • ② 전자의 운동 속도는 인가된 전위차 V의 제곱근에 반비례한다.
  • ③ 전계 E에 의한 전자의 운동 에너지는 1/2 mv2[J]이다.
  • ④ 전위차 V에 의한 가속전자의 운동 에너지는 eV[J]이다.

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76. 어떤 도체의 단면을 1A의 전류가 흐를 때 이 단면을 0.1초 동안에 통과하는 전자 수는? (단, 전자의 전하량 Q = 1.6×10-19[C]이다.)
  • ① 6.25×1017 개
  • ② 6.25×1019 개
  • ③ 6.25×1021 개
  • ④ 6.25×1023 개

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77. P채널 전계효과 트랜지스터(FET)에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?
  • ① 전자의 확산 현상
  • ② 정공의 확산 현상
  • ③ 전자의 드리프트 현상
  • ④ 정공의 드리프트 현상

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78. Fermi-Dirac 분포함수 f(E)에 대한 설명으로 틀린 것은? (단, Ef는 페르미준위이다.)
  • ① T = 0 K 일 때 E＞Ef 이면 f(E) = 0 이다.
  • ② T = 0 K 일 때 E＜Ef 이면 f(E) = 1 이다.
  • ③ 절대온도에 따라 전자가 채워질 확률은 일정하다.
  • ④ T = 0 K Ef 보다 낮은 에너지준위는 전부 전자로 채워져 있으며, Ef 이상의 에너지준위는 전부 비어 있다.

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79. 바리스터의 동작원리에 관한 설명 중 옳은 것은?
  • ① 걸린 전압이 높을수록 저항이 커져서 전류의 크기를 제한할 수 있다.
  • ② 걸린 전압이 높아지면 절연파괴가 일어나 단락(short)이 된다.
  • ③ 걸린 전압에 따라 정전용량이 달라져서 충격전류를 흡수한다.
  • ④ 걸린 전압이 높을수록 저항이 작아져서 과잉전를 흡수한다.

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80. 홀(hall) 효과와 가장 관계가 깊은 것은?
  • ① 자장계
  • ② 고저항 측정기
  • ③ 전류계
  • ④ 분압계

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5과목 : 전자계산기일반
81. 서브루핀을 호출하는 “CALL” 명령어가 실행되는 동안에 수행되는 동작이 아닌 것은?
  • ① 스택포인터 내용을 감소시킨다.
  • ② 복귀할 주소를 스택에 저장한다.
  • ③ 호출할 주소를 PC에 적재한다.
  • ④ 호출할 주소를 스택으로부터 인출한다.

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82. 시프트레지스터에 대한 설명 중 틀린 것은?
  • ① 시프트레지스터의 가능한 입축력 방식에는 직렬입력-직렬출력, 직렬입력-병렬출력, 병렬입력-직렬출력, 병렬입력-병렬출력이 있다.
  • ② n비트 시프트레지스터는 n개의 플립플롭과 시프트 동작을 제어하는 게이트로 구성되어 있다.
  • ③ 레지스터는 왼쪽 시프트, 오른쪽 시프트 중에 하나일 수 있고, 둘을 겸할 수도 있다.
  • ④ 시프트레지스터를 왼쪽으로 한 번 시프트하면 2로 나눈 결과가 되고 오른쪽으로 한 번 시프트하면 2로 곱한 결과가 된다.

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83. 어셈블리어 프로그램을 기계어로 바꾸어 주는 것은?
  • ① 어셈블러
  • ② 인터프리터
  • ③ 로더
  • ④ 컴파일러

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84. 고급 프로그래밍 언어가 기계어가 되기까지의 처리 순서로 적절한 것은?
  • ① 컴파일러 → 어셈블러 → 로더 → 링커
  • ② 컴파일러 → 어셈블러 → 링커 → 로더
  • ③ 어셈블러 → 컴파일러 → 로더 → 링커
  • ④ 어셈블러 → 컴파일러 → 링커 → 로더

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85. 8진수 (375.24)8를 10진수의 표현으로 옳은 것은?
  • ① 254.3126
  • ② 253.3125
  • ③ 252.3124
  • ④ 251.3123

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86. 다음 중 시스템버스에 속하지 않는 것은?
  • ① 제어 버스
  • ② 주소 버스
  • ③ 데이터 버스
  • ④ I/O 버스

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87. 서브루틴의 리턴(복귀) 어드레스를 저장하기 위해 사용되는 자료 구조는?
  • ① STACK
  • ② QUEUE
  • ③ Linked List
  • ④ Tree 구조

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88. interrupt 중에서 타이머, 정전 등의 외부 신호에 의하여 발생되는 것은?
  • ① I/O interrupt
  • ② program interrupt
  • ③ external interrupt
  • ④ supervisor call interrupt

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89. 홀수 패리티 발생기에 대한 식으로 옳은 것은? (단, 입력은 x, y, z 이다.)
  • ① (x ⊙ y) ⊙ z
  • ② (x ⊕ y) ⊕ z
  • ③ (x + y) · z
  • ④ (x ⊕ y) ⊙ z

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90. 다음 프로그램을 수행했을 때 그의 결과는 무엇인가?
  • ① x=0, y=1, z=3
  • ② x=0, y=2, z=2
  • ③ x=0, y=2, z=3
  • ④ x=1, y=2, z=3

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91. 분기 명령어 길이가 3바이트 명령어이고 상대주소모드인 경우 분기명령어가 저장되어 있는 기억장치 위치의 주소가 256AH이고, 명령어에 지정된 변위값이 –75H인 경우 분기되는 주소의 위치는?
  • ① 24F2H 번지
  • ② 24F5H 번지
  • ③ 24F8H 번지
  • ④ 256DH 번지

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92. 다음 중 에러를 찾아서 교정을 할 수 있는 코드는?
  • ① hamming code
  • ② ring counter code
  • ③ gray code
  • ④ 8421 code

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93. 중앙처리장치(CPU)의 3대 구성요소가 아닌 것은?
  • ① 제어장치
  • ② 연산장치
  • ③ 입력장치
  • ④ 기억장치

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94. RISC(Reduced Instruction Set Computer)와 CISC(Complex Instruction Set Computer)에 대한 설명 중 잘못된 것은?
  • ① RISC는 실행 빈도가 적은 하드웨어를 제거하여 자원 이용률을 높이는 장점이 있다.
  • ② RISC는 프로그램의 길이가 길어지므로 수행속도가 느린 단점이 있다.
  • ③ CISC는 고급언어를 이용하여 알고리즘을 쉽게 표현할 수 있는 장점이 있다.
  • ④ CISC는 복잡한 명령어군을 제공하므로 컴퓨터 설계 및 구현 시 많은 시간을 필요로 하는 단점이 있다.

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95. 다음 중 순차 논리 회로에 해당되는 것은?
  • ① 부호기
  • ② 반가산기
  • ③ 멀티플렉서
  • ④ 플립플롭

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96. 주기억장치에서 캐시 메모리로 데이터를 전송하는 매핑 방법이 아닌 것은?
  • ① 어소시어티브 매핑(Associative Mapping)
  • ② 직접 매핑(Direct Mapping)
  • ③ 간접 매핑(Idirect Mapping)
  • ④ 세트-어소시어티브 매핑(Set-Associative Mapping)

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97. 다음의 C 프로그램을 무엇을 입력한 것인가?
  • ① 실수입력
  • ② 정수입력
  • ③ 문자열입력
  • ④ 문자입력

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98. 16개의 레지스터를 가진 CPU는 몇 비트의 레지스터 지정 필드를 가져야 하는가?
  • ① 1
  • ② 4
  • ③ 8
  • ④ 16

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99. 우선순위에 의한 중재 방식 중 중재 동작이 끝날 때마다 모든 마스터들의 우선순위가 한단계씩 낮아지고 가장 낮았던 마스터가 최상위 우선순위를 가지는 방식은?
  • ① 임의 우선순위
  • ② 동등 우선순위
  • ③ 회전 우선순위
  • ④ 최소-최근사용 우선순위

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100. 다음 중 RAM에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
  • ① DRAM은 대용량 구성이 가능하고 가격도 SRAM과 비교하여 낮기 때문에 보조기억장치로 사용된다.
  • ② SRAM은 메모리 리프레시(Refresh) 동작이 필요하지 않다.
  • ③ SRAM은 DRAM과 비교하여 동작속도가 빠르다.
  • ④ DDRAM, SDRAM은 DRAM의 한 종류이다.

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