9급 국가직 공무원 전자공학개론(2017. 4. 8.) 시험일자 : 2017년 4월 8일

1. 다음 회로 중에서 출력 Z가 1이 되는 회로는? (단, X =0, Y=1이다.)

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2. 입력 전력이 20 [dB] 감소하는 감쇄기에 94 [W]의 신호를 입력 했을 때, 출력 신호의 전력[W]은?
  • ① 0.74
  • ② 0.94
  • ③ 7.4
  • ④ 9.4

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3. 다음 회로에서 입력전압 V1, V2와 출력전압 Vo 사이의 관계식은? (단, op-amp는 이상적이다)
  • ① Vo=3 V1 -2 V2
  • ② Vo=2 V1 -3 V2

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4. 다음 증폭기 회로에서 C2가 추가됨에 따라 생기는 변화는?
  • ① 출력 Vo의 DC 전압이 내려간다.
  • ② 출력 Vo의 DC 전압이 올라간다.
  • ③ 중간 주파수 영역에서 전압이득의 크기가 감소한다.
  • ④ 중간 주파수 영역에서 전압이득의 크기가 증가한다.

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5. 다음 DTL(Diode-Transistor Logic)로 설계된 디지털 회로는 어떤 논리 게이트인가? (단, 입력 X, Y의 논리레벨 1은 VCC=5 V, 논리레벨 0은 0 V이다)
  • ① AND
  • ② OR
  • ③ NAND
  • ④ NOR

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6. 드레인 전류(ID)와 게이트-소스 전압(VGS)의 관계식이 ID=9+19(VGS-1)+10(VGS-1)2[mA]인 N형 MOSFET에서 VGS=1 [V]일 때, 소신호 모델 전달컨덕턴스(transconductance) [mA/V]는?
  • ① 9
  • ② 10
  • ③ 19
  • ④ 29

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7. 다음 회로에 입력전압이 Vi일 때 출력전압 Vo는? (단, 다이오드와 제너다이오드는 이상적이다)

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8. 다음 중 대역통과필터 특성을 보이는 회로로만 묶은 것은?
  • ① ㄱ, ㄷ
  • ② ㄱ, ㄹ
  • ③ ㄴ, ㄷ
  • ④ ㄴ, ㄹ

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9. 공진주파수가 fo인 R, L, C 직렬회로에 주파수가 2fo인 입력신호를 인가하였을 때, 총 리액턴스 성분의 크기가 저항 R 값의 15배가 된다. 이 회로의 Qo(quality factor)는?
  • ① 5
  • ② 10
  • ③ 15
  • ④ 20

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10. 입력 전압 36 [V]에 연결된 발열선의 발열량이 1 [kW]이다. 동일한 재료로 단면의 지름을 두 배로 늘리고, 길이를 반으로 줄여 만든 발열선에 동일한 전압을 인가했을 때, 발열량[kW]은?
  • ① 4
  • ② 6
  • ③ 8
  • ④ 10

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11. 논리식 에 대한 진리표는?

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12. 다음 D 플립플롭에서 출력 Q의 동작은? (단, D 플립플롭은 하강에지에서 동작하고 Q의 초기값은 0이다)
  • ① ①
  • ② ②
  • ③ ③
  • ④ ④

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13. 무선 통신에서 전송하고자 하는 신호를 변조하는 이유로 옳은 것만을 모두 고른 것은?
  • ① ㄴ, ㄷ
  • ② ㄱ, ㄴ, ㄷ
  • ③ ㄱ, ㄷ, ㄹ
  • ④ ㄱ, ㄴ, ㄷ, ㄹ

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14. 다음 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
  • ① 선형 및 포화영역 동작에서 전류 반송자는 전자이다.
  • ② 선형 및 포화영역 동작은 전류 반송자의 드리프트(drift) 현상에 의한다.
  • ③ P채널 증가형 MOSFET이다.
  • ④ CMOS 집적회로에 사용되는 소자이다.

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15. PCM(Pulse Code Modulation) 방식에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
  • ① 샘플링된 신호에 이산적인 값을 할당하는 양자화와 펄스 부호로 변환하는 부호화가 필요하다.
  • ② 양자화 레벨 수가 증가하면 양자화 오차가 늘어난다.
  • ③ 디지털전송신호 방식으로 원거리통신에 중계기의 사용이 가능하다.
  • ④ 아날로그 방식보다 잡음 및 왜곡의 영향에 강한 장점이 있다.

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16. 다음은 비안정 모드로 동작하는 555 타이머 회로이다. 출력신호 Vo에 대한 듀티 사이클(duty cycle)[%]은?
  • ① 60
  • ② 65
  • ③ 70
  • ④ 75

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17. 실리콘 기반의 N채널 증가형 MOSFET 구동 시에 더 많은 드레인 전류 값을 얻는 방법은? (단, 트랜지스터는 포화영역에서 동작한다)
  • ① 게이트 산화막의 두께를 줄인다.
  • ② 소스와 드레인 전극의 간격을 길게 한다.
  • ③ 유전율이 낮은 게이트 산화막으로 교체한다.
  • ④ 실리콘을 전자 이동도가 낮은 물질로 대체한다.

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18. 다음 회로는 연산증폭기를 이용한 정전압조정기이다. 출력전압 Vo[V]는?
  • ① 2.5
  • ② 4.7
  • ③ 5
  • ④ 8

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19. 다음 바이어스 회로의 동작점에서 컬렉터 전류 ICQ[mA]는? (단, VBE =0.7 [V]이다)
  • ① 2
  • ② 5
  • ③ 10
  • ④ 15

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20. 다음 회로의 주파수 전달함수(Transfer Function) 는?

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