전자기사(2017. 3. 5.) 시험일자 : 2017년 3월 5일

1과목 : 전기자기학
1. 자기회로에서 철심의 투자율을 μ라 하고 회로의 길이를 ℓ이라 할 때 그 회로의 일부에 미소공극 ℓg를 만들면 회로의 자기저항은 처음의 몇 배인가? (단, ℓg≪ℓ즉 ℓ-ℓg ≒ ℓ이다.)

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2. 평행편판 공기콘덴서의 양 극판에 +σ[C/m2], -σ[C/m2]의 전하가 분포되어 있다. 이 두 전극 사이에 유전율 Є[F/m]인 유전체를 삽입한 경우의 전계 [V/m]는? (단, 유전체의 분극전하밀도를 +σ′[C/m2], -σ′[C/m2]이라 한다.)
  • ① σ/Є0
  • ② σ+σ′/Є0
  • ③ σ/Є0-σ′/Є
  • ④ σ-σ′/Є0

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3. 매질1(ε1)은 나일론(비유전율 εs=4)이고 매질2(ε2)는 진고일 때 전속밀도 D가 경계면에서 각각 θ1, θ2의 각을 이룰 때, θ2=30°라면 θ1의 값은?

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4. 300회 감은 코일에 3[A]의 전류가 흐를 때의 기자력[AT]은?
  • ① 10
  • ② 90
  • ③ 100
  • ④ 900

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5. 자계와 직각으로 놓인 도체에 I[A]의 전류를 흘릴 때 f[N]의 힘이 작용하였다. 이 도체를 v[m/s]의 속도로 자계와 직각으로 운동시킬 때의 기전력 e[V]는?
  • ① fv/I2
  • ② fv/I
  • ③ fv2/I
  • ④ fv/2I

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6. 반지름 a, b인 두 개의 구 형상 도체 전극이 도전율 k인 매질 속에 중심거리 만큼 떨어져 있다. 양 전극 간의 저항은? (단, ar≫ a, b이다.)

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7. 구리로 만든 지름 20cm의 반구에 물을 채우고 그 중에 지름 10cm의 구를 띄운다. 이 때에 두 개의 구가 동심구라면 두 구 사이의 저항은 약 몇 Ω인가? (단, 물의 도전율은 10-3[℧/m]라 하고, 물이 충만 되어 있다고 한다.)
  • ① 1590
  • ② 2590
  • ③ 2800
  • ④ 3180

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8. 자기회로에 관한 설명으로 옳은 것은?
  • ① 자기회로의 자기저항은 자기회로의 단면적에 비례한다.
  • ② 자기회로의 기자력은 자기저항과 자속의 곱과 같다.
  • ③ 자기저항 Rm1과 Rm2을 직렬연결 시 합성 자기저항은 이다.
  • ④ 자기회로의 자기저항은 자기회로의 길이에 반비례한다.

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9. 면적이 S[m2]인 금속판 2매를 간격이 d[m]되게 공기 중에 나란하게 놓았을 때 두 도체 사이의 정전용량[F]은?

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10. 일반적인 전자계에서 성립되는 기본방정식이 아닌 것은? (단, i는 전자밀도, ρ는 공간전하밀도이다.)
  • ③ ∇∙D=ρ
  • ④ ∇∙B=μH

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11. 옴의 법칙을 미분형태로 표시하면? (단, i는 전류밀도이고, ρ는 저항률, E는 전계이다.)
  • ② i=ρE
  • ③ i=divE
  • ④ i= ∇ × E

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12. 0.2μF인 평행판 공기 콘덴서가 있다. 전극 간에 그 간격의 절반 두께의 유리판을 넣었다면 콘덴서의 용량은 약 몇 μF 인가? (단, 유리의 비유전율은 10이다.)
  • ① 0.26
  • ② 0.36
  • ③ 0.46
  • ④ 0.56

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13. 기계적인 변형력을 가할 때, 결정체의 표면에 전위차가 발생되는 현상은?
  • ① 볼타 효과
  • ② 전계 효과
  • ③ 압전 효과
  • ④ 파이로 효과

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14. 길이가 1cm, 지름이 5cm인 동선에 1A의 전류를 흘렸을 때 전자가 동선을 흐르는 데 걸리는 평균 시간은 약 몇 초인가? (단, 동선의 전자밀도는 1×1028[개/m3]이다.)
  • ① 3
  • ② 31
  • ③ 314
  • ④ 3147

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15. 두 개의 콘덴서를 직렬접속하고 직류전압을 인가시 설명으로 옳지 않은 것은?
  • ① 정전용량이 작은 콘덴서에 전압이 많이 걸린다.
  • ② 합성 정전용량은 각 콘덴서의 정전용량의 합과 같다.
  • ③ 합성 정전용량은 각 콘덴서의 정전용량보다 작아진다.
  • ④ 각 콘덴서의 두 전극에 정전유도에 의하여 정ㆍ부의 동일한 전하가 나타나고 전하량은 일정하다.

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16. 폐회로에 유도되는 유도기전력에 관한 설명으로 옳은 것은?
  • ① 유도기전력은 권선수의 제곱에 비례한다.
  • ② 렌츠의 법칙은 유도기전력의 크기를 결정하는 법칙이다.
  • ③ 자계가 일정한 공간 내에서 폐회로가 운동하여도 유도기전력이 유도된다.
  • ④ 전계가 일정한 공간 내에서 폐회로가 운동하여도 유도기전력이 유도된다.

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17. 한 변의 길이가 √2m인 정사각형의 4개 꼭짓점에 +10-9 C의 점전하가 각각 있을 때 이 사각형의 중심에서의 전위[V]는?
  • ① 0
  • ② 18
  • ③ 36
  • ④ 72

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18. 그림과 같은 반지름 a인 무한장 평행도체 A, B가 간격 d로 놓여 있고, 단위 길이당 각각 +λ, -λ의 전하가 균일하게 분포되어 있다. A, B 도체 간의 전위차[V]는? (단, d ≫ a이다.)

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19. 전계 E[V/m], 자계 H[AT/m]의 전자계가 평면파를 이루고, 자유공간으로 단위 시간에 전파될 때 단위 면적당 전력밀도[W/m2]의 크기는?
  • ① EH2
  • ② EH
  • ③ 1/2EH2 
  • ④ 1/2EH

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20. 면전하 밀도가 ρs[C/m2]인 무한히 넓은 도체판에서 R[m]만큼 떨어져 있는 점의 전계의 세기[V/m]는?
  • ① ρs/Є0
  • ② ρs/2Є0
  • ③ ρs/2R
  • ④ ρs/4πR2

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2과목 : 회로이론
21. S 평면상에서 전달함수의 극점(pole)이 그림과 같은 위치에 있으면 이 회로망의 상태는?
  • ① 발진하지 않는다.
  • ② 점점 더 크게 발진한다.
  • ③ 지속 발진한다.
  • ④ 감쇠 진동한다.

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22. 두 코일 간의 유도 결합의 정도를 나타내는 결합계수 K에 대한 설명으로 틀린 것은?
  • ① K=1은 상호 자속이 전혀 없는 경우이다.
  • ② K=0은 유도 결합이 전혀 없는 경우이다.
  • ③ K=1은 누설 자속이 전형 없는 경우이다.
  • ④ 결합계수 K는 0과 1 사이의 값을 갖는다.

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23. 부하저항 RL에 최대 전력을 공급하려면 RL의 값은 몇 Ω 인가?
  • ① 50
  • ② 30
  • ③ 20
  • ④ 12

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24. (A)와 (B)회로는 가역정리(reciprocity theorem)가 성립할 경우 (A)회로에서 IL이 0.5A일 때, (B)회로의 전류 I는 몇 A 인가?
  • ① 0.125
  • ② 0.5
  • ③ 1
  • ④ 5

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25. 그림과 같은 4단자 회로망에서 4단자 정수를 나타날 때 D 값은? (단, D는 단락 역방향 전류 이득이다.)
  • ① Z1
  • ② 1
  • ③ 1/Z2
  • ④ 1+Z1/Z2

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26. 임피던스가 인 2단자 회로에 직류전원 20A를 인가할 때 회로단자 전압은 몇 V 인가?
  • ① 100
  • ② 200
  • ③ 300
  • ④ 400

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27. 다음 회로에서 단자 a, b에 나타나는 전압은 몇 V 인가?
  • ① 2.25
  • ② 4.6
  • ③ 22
  • ④ 27.6

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28. 4단자 정수 A, B, C, D 중에서 어드미턴스의 차원을 가진 정수는?
  • ① A
  • ② B
  • ③ C
  • ④ D

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29. 자기 인덕턴스 L1, L2가 각각 5mH와 10mH인 두 코일이 이상 결합하였다면 상호 인덕턴스는 약 몇 mH 인가?
  • ① 7.1
  • ② 11.2
  • ③ 14.1
  • ④ 15

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30. 상수 1의 라플라스 역변환은?
  • ① u(t)
  • ② t
  • ③ δ(t)
  • ④ r(t)

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31. 공진회로에서 공진의 상태를 설명한 것으로 옳은 것은?
  • ① 전압과 전류가 45° 될 때이다.
  • ② 역률이 0.5가 되는 상태이다.
  • ③ 공진이 되었을 때 최대전력의 0.5배가 전달된다.
  • ④ 직렬공진회로에서는 전류가 최대로 된다.

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32. 그림과 같은 회로에서 특성 임피던스 Zo는 약 몇 Ω 인가?
  • ① 3.24
  • ② 4.88
  • ③ 5.24
  • ④ 6.24

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33. RC 저역 필터 회로의 전달 함수 G(s)는?

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34. 저항과 커패시터를 병렬로 접속한 회로에 직류를 10V를 가하면 2A가 흐르고, 교류 30V를 가하면 10A가 흐른다. 이때, 용량성 리액턴스는 몇 Ω인가?
  • ① 3
  • ② 3.75
  • ③ 5
  • ④ 7.5

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35. 전기회로에서 일어나는 과도현상과 시정수와의 관계를 옳게 표현한 것은?
  • ① 과도현상과 시정수와는 관계가 없다.
  • ② 시정수가 클수록 과도현상은 빨리 사라진다.
  • ③ 시정수와 역이 클수록 과도현상은 빨리 사라진다.
  • ④ 시정수의 역이 클수록 과도현상이 오래 지속된다.

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36. 60Hz에서 5Ω의 리액턴스를 갖는 자기 인덕턴스 mH와 정전 용량 μF은 각각 얼마인가?
  • ① L=6, C=661
  • ② L=7, C=770
  • ③ L=13, C=531
  • ④ L=12, C=480

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37. 다음과 같은 그림에서 부하 임피던스 ZL=RL+jXL 의 RL=400Ω은 고정시키고, XL만을 조정하여 부하 측으로 얻을 수 있는 최대 전력이 RL, XL을 모두 조정해서 얻는 부하 최대전력의 몇 %가 되는가?
  • ① 96
  • ② 90
  • ③ 80
  • ④ 77.7

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38. 임의의 회로에서 유효전력이 40W이고, 무효전력이 30Var일 때 무효율은?
  • ① 0.6
  • ② 0.75
  • ③ 0.8
  • ④ 1

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39. 의 역 라플라스 변환은?
  • ① e-at sin ωt
  • ② e-at cos ωt
  • ③ eat cos ωt
  • ④ eat sin ωt

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40. 다음 회로에 관한 설명으로 틀린 것은?
  • ① 캐패시턴스만의 회로에서는 전류가 기전력보다 위상이 π/2[rad]만큼 앞선다.
  • ② 인덕턴스마의 회로에서는 기전력은 전류보다 위상이 π/2[rad]만큼 앞선다.
  • ③ 저항만의 회로에서는 전류와 기전력은 동상이다.
  • ④ 저항 R과 인덕턴스 L이 직렬로 연결된 회로에서 전류는 기전력보다 앞선다.

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3과목 : 전자회로
41. C급 전력증폭기의 효율은?
  • ① AB급보다 떨어진다.
  • ② A급, B급 또는 AB급보다 우수하다.
  • ③ A보다 떨어진다.
  • ④ B보다 떨어진다.

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42. 다음 중 JK 플립플롭의 특성방정식으로 옳은 것은? (단, Q는 현재 상태(present state)이고 Q(t+1)은 다음 상태(next state)이다.)

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43. M/S 플립플롭은 어떠한 현상을 해결하기 위한 것인가?
  • ① Delay 현상
  • ② Race 현상
  • ③ Set 현상
  • ④ Toggle 현상

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44. 주파수 변조에서 최대 주파수 편이가 60kHz이고 최대 변조 주파수가 6kHz라면 변조도는? (단, 변조지수는 8이다.)
  • ① 40%
  • ② 60%
  • ③ 80%
  • ④ 100%

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45. 아래 회로의 주파수 특성과 가장 관계가 깊은 것은?
  • ① 저대역 통과 필터(low pass filter)
  • ② 고대역 통과 필터(high pass filter)
  • ③ 대역 통과 필터(band pass filter)
  • ④ 대역 제거 필터(notch filter)

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46. 윈 브리지(Wien Bridge) 발진기의 특징 중 옳은 것은?
  • ① 대형 중량이다.
  • ② 출력 파형이 불안정하다.
  • ③ 주파수 변경이 양호하다.
  • ④ 발진 주파수가 불안정하다.

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47. 다음 중 수정발진자에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
  • ① 수정편은 압전기 현상을 가지고 있다.
  • ② 수정편은 Q가 5000 정도로 매우 높다.
  • ③ 발진주파수는 수정편의 두께와 무관하다.
  • ④ 수정편은 절단하는 방법에 따라 전기적 온도특성이 달라진다.

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48. 다음 회로에서 Ri=1MΩ이고, Rf=4MΩ일 때, 전압증폭도 Avf는?
  • ① -1
  • ② -2
  • ③ -3
  • ④ -4

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49. 드리프트(drift) 현상의 주된 원인으로 적합하지 않은 것은?
  • ① 소자의 경년변화
  • ② 전원전압의 변화
  • ③ 주위온도의 변화
  • ④ 대역폭의 변화

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50. 부귀환 증폭기회로의 특징으로 옳지 않은 것은?
  • ① 이득이 증가한다.
  • ② 입력 임피던스는 증가하고 출력 임피던스는 낮아진다.
  • ③ 증폭도의 안정성이 증가한다.
  • ④ 잡음, 왜곡이 감소된다.

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51. 다음 그림 3-상태 출력 버퍼에서 출력(F)이 1인 경우의 입력은?

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52. 다음의 진리표를 갖는 조합회로 구성으로 맞는 것은?

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53. 증폭 회로의 고주파 응답을 결정하는 요소는?
  • ① 롤-오프(roll-off)
  • ② 트랜지스터의 내부 커패시턴스
  • ③ 컷 오프 전압(cut-off voltage)
  • ④ 크로스 오버(cross over)

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54. 다음과 같은 RC결합 증폭회로에서 전력 증폭도는 얼마인가? (단, hfe=50, hie=2kΩ 이다.)
  • ① 0.95
  • ② 1.25
  • ③ 1.50
  • ④ 1250

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55. 3비트 2진 하향 카운터의 상태수가 8가지인 경우 JK플립플롭은 몇 개가 필요한가?
  • ① 1
  • ② 3
  • ③ 5
  • ④ 7

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56. 연산증폭기의 전달함수 (G(s))의 V2(s)/V1(s)는?
  • ② -RC
  • ③ 1+RC

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57. 입력이 정현파일 때 그림의 회로는 무엇인가?
  • ① Schmitt trigger
  • ② Voltage doubler
  • ③ Multivibrator
  • ④ Miller sweep

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58. 증폭기의 귀환에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
  • ① 부귀환을 걸어주면 대역폭을 넓힐 수 있다.
  • ② 귀환신호(전류 또는 전압)가 출력전압에 비례할 때 전압귀환이라 한다.
  • ③ 귀환전압이 입력신호 전압에 직렬로 연결되는 경우 직렬귀환이라 한다.
  • ④ 직렬귀환과 병렬귀환이 함께 사용된 것을 복합귀환일 한다.

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59. 트랜지스터 정 특성에서 VCE=6V이고, IB를 600㎂~850㎂까지 변화시킬 때 VBE가 0.2V~0.3V의 변화를 하였다면 hie는 몇 Ω 인가?
  • ① 250
  • ② 400
  • ③ 30000
  • ④ 250000

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60. 다음과 같은 멀티플렉서를 이용하여 구성한 조합논리회로가 나타내는 논리식을 SUM of Minterms 현태로 표시하면?
  • ① F=(A, B, C)=∑(1, 3, 5, 6)
  • ② F=(A, B, C)=∑(2, 4, 7)
  • ③ F=(A, B, C)=∑(1, 3, 6)
  • ④ F=(A, B, C)=∑(0, 2, 7, 8)

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4과목 : 물리전자공학
61. 1cm의 반도체에 1V를 인가했을 때 이동하는 캐리어 속도를 무엇이라고 하는가?
  • ① 홀 계수
  • ② 드리프트 속도
  • ③ 산란 속도
  • ④ 확산 속도

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62. 다음 배리스터(Varistor)에 대한 설명 중 틀린것은?
  • ① 비직선적인 전압, 전류특성을 갖는 2단자 반도체장치이다.
  • ② 서지(surge) 전압에 대한 회로보호용 소자로 사용된다.
  • ③ 다이오드의 정류성을 이용한 것이다.
  • ④ SiC의 분말과 점토를 혼합하여 소결한 것이다.

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63. 접합형 트랜지스터의 구조에 대한 설명으로 옳은 것은?
  • ① 이미터, 베이스, 컬렉터의 폭은 거의 비슷한 정도로 한다.
  • ② 불순물 농도는 이미터를 가장 크게, 컬렉터를 가장 적게 한다.
  • ③ 베이스 폭은 비교적 좁게 하고, 불순물은 적게 넣는다.
  • ④ 베이스 폭은 비교적 넓게 하고, 불순물은 많이 넣는다.

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64. 균등전계 내 전자의 운동에 관한 설명 중 틀린것은?
  • ① 전자는 전계와 반대 방향의 일정한 힘을 받는다.
  • ② 전자의 운동 속도는 인가된 전위차 V의 제곱근에 반비례한다.
  • ③ 전계 E에 의한 전자의 운동 에너지는 1/2mv2[J]이다.
  • ④ 전위차 V에 의한 가속전자의 운동 에너지는 eV[J] 이다.

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65. 다음 반도체에 관한 설명 중 틀린 것은?
  • ① 진성반도체에 불순물 인(P)을 주입하면 페르미 준위 EF가 전도대쪽에 가깝게 위치한다.
  • ② 페르미 준위가 금지대 중앙에 위치해 있으면 진성반도체이다.
  • ③ 페르미 준위가 전도대쪽에 가깝게 위치해 있으면 N형 반도체이다.
  • ④ 진성반도체에 불순물 갈률(Ga)을 주입하면 페르미 준위 EF가 전도대쪽에 가깝게 위치한다.

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66. 전계의 세기가 E=100[V/m]인 전계 중에 놓인 전자에 가해지는 전자의 가속도는? (단, 전하량은 1.602×10-19[C], 전자의 질량은 9.11×10-31[kg]이다.)
  • ① 5.82×1013[㎨]
  • ② 1.62×1013[㎨]
  • ③ 5.93×1013[㎨]
  • ④ 1.75×1013[㎨]

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67. Fermi 준위에서의 Fermi-Dirac의 확률 분포함수 f(E)의 값은?
  • ① 1/3
  • ② 1/2
  • ③ 1
  • ④ 2

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68. 균등자계(B) 내에 수직으로 속도 v로 입사한 전자의 속도를 2배로 증가시켰을 때, 전자의 운동은 어떻게 변하는가?
  • ① 원운동의 주기는 변하지 않는다.
  • ② 원운동의 주기는 2배가 된다.
  • ③ 원운동의 주기는 4배가 된다.
  • ④ 원운동의 주기는 8배가 된다.

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69. 집적회로 내에서 전기적인 상호배선 사이의 절연과 불순물 확산에 대한 보호층을 형성하는 반도체 공정은?
  • ① 이온주입공정
  • ② 금속배선공정
  • ③ 산화공정
  • ④ 광사진식각공정

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70. 수소 원자에서 원자핵 주위를 돌고 있는 전자가 에너지 준위 E1(-5.14×10-12[erg]) 상태에서, 에너지 준위 E2(-21.7×10-12[erg]) 상태로 천이할 때 내는 빛의 진동수는 약 얼마인가? (단, 플랑크 상수 h=6.63×10-27[ergㆍsec]이다.)
  • ① 1.2×105/sec
  • ② 2.5×1015/sec
  • ③ 5.03×1016/sec
  • ④ 10.3×1022/sec

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71. 금속 표면에 빛을 조사하면 금속 내의 전자가 방출하는 현상은?
  • ① 열전자 방출
  • ② 냉음극 방출
  • ③ 2차 전자 방출
  • ④ 광전자 방출

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72. 1Ω의 교류저항 성분을 가지는 PN 접합 다이오드가 상온에서 순방향으로 바이어스(Bias) 걸려 있을 때 흐르는 순방향 전류는 약 몇 A인가?
  • ① 12×10-3
  • ② 15×10-3
  • ③ 26×10-3
  • ④ 29×10-3

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73. 음전하를 금속표면 근처에 가져오면 양전하가 금속에 유기되고, 이것으로 인한 영상력(image force)이 인가전계와 결합되면 일함수는 약간 감소하는데, 이와 같이 전위장벽이 저하하는 현상은?
  • ① Zener 현상
  • ② Piezo 효과
  • ③ Schottky 효과
  • ④ Webster 효과

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74. 온도가 상승함에 따라 불순물 반도체의 페르미 준위는?
  • ① 전도대 쪽으로 접근한다.
  • ② 가전자대 쪽으로 접근한다.
  • ③ 변함없다.
  • ④ 금지대 중앙으로 접근한다.

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75. 진성 반도체에서 온도가 상승할 때 나타나는 현상은?
  • ① 반도체의 저항이 증가한다.
  • ② 원자의 에너지가 증가한다.
  • ③ 정공이 전도대에 발생된다.
  • ④ 금지대가 감소한다.

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76. 쇼트키(schottky) 다이오드는 어떠한 접촉에 의하여 이루어지고 있는가?
  • ① 금속과 금속의 접촉
  • ② 금속과 반도체의 접촉
  • ③ 부도체와 반도체의 접촉
  • ④ 부도체와 부도체의 접촉

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77. 캐리어의 확산 속도는? (단, 캐리어 밀도는 m, 거리는 x이다.)
  • ① dn(x)/dx에 비례
  • ② dn(x)/dx에 반비례
  • ③ d2n(x)/dx2에 비례
  • ④ d2n(x)/dx2에 반비례

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78. PN 접합에서 푸아송(Poisson) 방정식을 올바르게 나타낸 식은? (단, V:전압, I:전류, x:거리, ρ: 전하밀도, Є:유전율이다.

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79. 일함수(work function)의 설명 중 틀린 것은?
  • ① 금속의 종류에 따라 값이 다르다.
  • ② 일함수가 큰 것이 전자 방출이 쉽게 일어난다.
  • ③ 표면장벽 에너지와 Fermi 준위와의 차를 일함수라 한다.
  • ④ 전자가 방출되기 위해서 최소한 이 일함수에 해당되는 에너지를 공급받아야 한다.

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80. PN 접합 다이오드의 공핍층(depletion layer)과 공일한 용어는?
  • ① 금지대역
  • ② 밴드갭(band gap)
  • ③ 천이영역(transition region)
  • ④ 전도대역

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5과목 : 전자계산기일반
81. 연산 처리된 10진 데이터를 입ㆍ출력하기 위한 데이터 형식은?
  • ① 8진수형태
  • ② 10진수형태
  • ③ UNPACK형태
  • ④ PACK형태

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82. 다음 용어에 따른 설명이 옳지 않은 것은?
  • ① 문제분석 : 주어진 문제가 무엇인가를 분석한다.
  • ② 알고리즘 : 분석된 문제에 대한 해결책을 논리에 맞게 표현한다.
  • ③ 코딩 : 알고리즘을 기호로 나타낸다.
  • ④ 문서화 : 프로그램을 차후에 유지 보수할 목적으로 이해하기 쉽게 문서화하여 보관한다.

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83. 연산자(operation)의 기능에 속하지 않는 것은?
  • ① 기억 기능
  • ② 제어 기능
  • ③ 전달 기능
  • ④ 함수연산 기능

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84. 다음 중 순차 논리 회로에 해당되는 것은?
  • ① 부호기
  • ② 반가산기
  • ③ 플립플롭
  • ④ 멀티플렉서

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85. CPU에서 트랜지스터 회로가 구현할 수 있는 기본 기능이 아닌 것은?
  • ① 덧셈(adding)
  • ② 디코딩(decoding)
  • ③ 시프팅(shifting)
  • ④ 카운팅(counting)

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86. 보통의 마이크로프로세서 코드에서 오퍼랜드가 될 수 없는 것은?
  • ① 데이터
  • ② 데이터의 어드레스
  • ③ 명령코드
  • ④ 레지스터 이름

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87. 조건에 따라 처리를 반복ㆍ실행하는 플로우차트의 기본형은?
  • ① 분기형
  • ② 분류형
  • ③ 루프형
  • ④ 직선형

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88. 파일에 레코드 개수가 256개가 있다. 이진 검색으로 특정키를 검색할 때 최대 비교 횟수는?
  • ① 8
  • ② 9
  • ③ 10
  • ④ 12

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89. 스택과 관련된 PUSH 및 POP 명령어의 명령형식과 가장 관계가 깊은 것은?
  • ① 3-address
  • ② 2-address
  • ③ 1-address
  • ④ 0-address

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90. CPU의 B 레지스터에 2의 보수 10101101 이 저장되어 있을 때 B 레지스터에 산술적 우측 시프트를 세 번 수행한 결과는?
  • ① 11010110
  • ② 00010101
  • ③ 11101011
  • ④ 11110101

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91. 비트 슬라이스 마이크로프로세서를 구성하는 요소가 아닌 것은?
  • ① processor unit
  • ② main memory buffer
  • ③ micro program sequencer
  • ④ control memory

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92. 마이크로컴퓨터의 입ㆍ출력 전송 방법 중 Cycle stealing을 하는 방법은?
  • ① CPU 제어 입ㆍ출력 전송 중 무조건 I/O 전송
  • ② CPU 제어 입ㆍ출력 전송 중 조건부 I/O 전송
  • ③ I/O 장치 제어에 의한 인터럽트 방식
  • ④ I/O 장치 제어에 의한 DMA 방식

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93. 어셈블리 언어(Assembly Language)로 된 프로그램을 기계어(Machine Language)로 변환하는 것은?
  • ① Compiler
  • ② Translator
  • ③ Assembler
  • ④ Language Decoder

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94. 다음 중 CPU 성능에 중요한 영향을 미치는 요소가 아닌 것은?
  • ① 클럭 주파수
  • ② 명령어 집합의 복합성
  • ③ 병렬 처리
  • ④ 연산장치의 크기

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95. 다음 C 프로그램의 실행 결과로 옳은 것은?
  • ① 10
  • ② 12
  • ③ 14
  • ④ 16

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96. 1-주소 명령 방식에 해당하는 CPU 구조는?
  • ① 스택
  • ② 단일 누산기
  • ③ 범용 레지스터
  • ④ 색인 레지스터

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97. 1024×8 Bit ROM에 필요한 주소 및 데이터 핀의 수는 최소 몇 개인가?
  • ① 8
  • ② 16
  • ③ 18
  • ④ 24

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98. 다음 소프트웨어의 분류를 나타내는 단어들 중 성격이 다른 하나는?
  • ① 미들웨어
  • ② 프리웨어
  • ③ 쉐어웨어
  • ④ 라이트웨어

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99. 다음 회로에서 클록 신호가 0에서 1로 바뀔 때, S=0, R=1이면 출력은 얼마인가?
  • ① 1
  • ② 0
  • ③ -1
  • ④ 변화 없음

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100. 입출력 채널에 대한 설명 중 잘못된 것은?
  • ① 입출력 명령을 해독한다.
  • ② 채널프로그램에 따라 입출력 장치를 지시 및 제어한다.
  • ③ 채널명령어(CCW)는 명령코드, 플래그, 데이터 어드레스, 데이터 크기로 구성된다.
  • ④ CPU의 지시를 받아 입출력 동작을 수행한다.

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