전자기사 기출문제 목록

전자기사(2015. 3. 8.) 시험일자 : 2015년 3월 8일

1과목 : 전기자기학
1. 평행판 콘덴서의 극간 전압이 일정한 상태에서 극간에 공기가 있을 때의 흡인력을 F1, 극판 사이에 극판 간격의 2/3 두께의 유리판(εr=10)을 삽입할 때의 흡인력을 F2라 하면 F2/F1는?
  • ① 0.6
  • ② 0.8
  • ③ 1.5
  • ④ 2.5

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2. 유전율 ε1, ε2인 두 유전체 경계면에서 전계가 경계면에 수직일 때 경계면에 작용하는 힘은 몇 [N/m2]인가? (단, ε1 > ε2이다.)
  • ①
  • ②
  • ③
  • ④

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3. 진공 중에 +20μC과 -3.2μC인 2개의 점전하가 1.2m 간격으로 놓여 있을 때 두 전하 사이에 작용하는 힘(N)과 작용력은 어떻게 되는가?
  • ① 0.2N, 반발력
  • ② 0.2N, 흡인력
  • ③ 0.4N, 반발력
  • ④ 0.4N, 흡인력

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4. Ωㆍsec 와 같은 단위는?
  • ① F
  • ② F/m
  • ③ H
  • ④ H/m

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5. 진공 중에 있는 반지름 α(m)인 도체구의 정전용량(F)은?
  • ① 4πε0α
  • ② 2πε0α
  • ③ aε0α
  • ④ a

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6. 내부도체의 반지름이 a(m)이고, 외부도체의 내반지름이 b(m), 외반지름이 c(m)인 동축 케이블의 단위 길이당 자기 인덕턴스는 몇 H/m인가?
  • ①
  • ②
  • ③
  • ④

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7. 균일한 자속밀도 B중에 자기모멘트 m의 지삭(관성모멘트 I)이 있다. 이 자석을 미소 진동시켰을 때의 주기는?
  • ①
  • ②
  • ③
  • ④

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8. 60[Hz]의 교류 발전기의 회전자가 자속밀도 0.15[Wb/m2]의 자기장 내에서 회전하고 있다. 만일 코일의 면적이 2×10-2[m2]일 때 유도기전력이 최대값 Em=220[V]가 되려면 코일을 약 몇 번 감아야 하는가? (단, ω=2πf=377[rad/sec]이다.)
  • ① 195회
  • ② 220회
  • ③ 395회
  • ④ 440회

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9. 무한장 선로에 균일하게 전하가 분포된 경우 선로로부터 r(m) 떨어진 P점에서의 전계의 세기 E(V/m)는 얼마인가?(단, 선전하 밀도는 ρL(C/m)이다.)
  • ①
  • ②
  • ③
  • ④

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10. 0.2C의 점전하가 전계 E=5ay+az(V/m) 및 자속밀도 E=2ay+5az(Wb/m2) 내로 속도 v=2ax+3ay(m/s)로 이동할 때 점전하에 작용하는 힘 F(N)은? (단, ax, ay, az는 단위 벡터이다.)
  • ① 2ax-ay+3az
  • ② 3ax-ay+az
  • ③ ax+ay-2az
  • ④ 5ax+ay-3az

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11. 반지름이 5[mm]인 구리선에 10[A]의 전류가 흐르고 있을 때 단위시간당 구리선의 단면을 통과하는 전자의개수는? (단, 전자의 전하량 e=1.602×10-19[C]이다.)
  • ① 6.24×1017
  • ② 6.24×1019
  • ③ 1.28×1021
  • ④ 1.28×1023

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12. 투자율을 μ라 하고 공기 중의 투자율 μ0와 비투자율 μs의 관계에서 로 표현된다. 이에 대한 설명으로 알맞은 것은?(단, χ는 자화율이다.)
  • ① χ＞0인 경우 역자성체
  • ② χ＜0인 경우 상자성체
  • ③ μs＞1인 경우 비자성체
  • ④ μs＜1인 경우 역자성체

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13. 자계의 벡터포텐셜을 A라 할 때 자계의 변화에 의하여 생기는 전계의 세기 E는?
  • ① E=rotA
  • ② rotE=A
  • ③
  • ④

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14. 공기 중에서 x방향으로 진행하는 전자파가 있다. Ey=3×10-2sinω(x-vt)(V/m), Ez=4×10-2sinω(x-vt)(V/m)일 때 포인팅 벡터의 크기(W/m2)는?
  • ① 6.63×10-6sin2ω(x-vt)
  • ② 6.63×10-6cos2ω(x-vt)
  • ③ 6.63×10-4sinω(x-vt)
  • ④ 6.63×10-4cosω(x-vt)

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15. 자계의 세기 H=xyay-xzaz(A/m)일 때 점(2, 3, 5)에서 전류밀도는 몇 [A/m2]인가?
  • ① 3ax+5ay
  • ② 3ay+5az
  • ③ 5ax+3az
  • ④ 5ay+3az

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16. 회로에서 단자 a-b 간에 V의 전위차를 인가할 때 C1의 에너지는?
  • ①
  • ②
  • ③
  • ④

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17. Qℓ=±200πЄ0×103(Cㆍm)인 전기쌍극자에서 ℓ과 r의 사이 각이 π/3이고, r=1m인 점의 전위(V)는?
  • ① 50π×104
  • ② 50×103
  • ③ 25×103
  • ④ 5π×104

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18. 전속밀도에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
  • ① 전속은 스칼라량이기 때문에 전속밀도도 스칼라량이다.
  • ② 전속밀도는 전계의 세기의 방향과 반대 방향이다.
  • ③ 전속밀도는 유전체 내에 분극의 세기와 같다.
  • ④ 전속밀도는 유전체와 관계없이 크기는 일정하다.

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19. 와전류와 관련된 설명으로 틀린 것은?
  • ① 단위체적당 와류손의 단위는 W/m3이다.
  • ② 와전류는 교번자속의 주파수와 최대자속밀도에 비례한다.
  • ③ 와전류손은 히스테리시스손과 함께 철손이다.
  • ④ 와전류손을 감소시키기 위하여 성층철심을 사용한다.

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20. 무한장 직선도체가 있다. 이 도체로부터 수직으로 0.1m 떨어진 점의 자계의 세기가 180AT/m이다. 이 도체로부터 수직으로 0.3m 떨어진 점의 자계의 세기(AT/m)는?
  • ① 20
  • ② 60
  • ③ 180
  • ④ 540

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2과목 : 회로이론
21. 이상 변압기의 조건으로 옳은 것은?
  • ① 와류 손실은 약간 있다.
  • ② 동손, 철손은 약간 있다.
  • ③ 두 코일간의 결합계수가 1이다.
  • ④ 각 코일의 인덕턴스는 ∞가 아니다.

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22. 리액턴스 함수가 로 표시되는 리액턴스 2단자망은?
  • ①
  • ②
  • ③
  • ④

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23. 회로의 영상 임피던스 Z01은 약 얼마인가?
  • ① 4.1[Ω]
  • ② 5.2[Ω]
  • ③ 6.3[Ω]
  • ④ 7.4[Ω]

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24. 다음 그림의 교류 회로에서 R에 전류가 흐르지 않기 위한 조건으로 옳은 것은?
  • ①
  • ② ωM=ωL2
  • ③
  • ④

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25. f(t)=sint cost 를 라플라스 변환 하면?
  • ① 1/(S2+2)
  • ② 1/(S2+4)
  • ③ 1/((S+2)2)
  • ④ 1/((S+4)2)

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26. 한 코일의 전류가 매초 60[A]의 비율로 변화할 때 다른 코일에는 30[V]의 기전력이 발생하는 경우에 두 코일의 상호 인덕턴스[H]는?
  • ① 2
  • ② 1.5
  • ③ 1
  • ④ 0.5

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27. h 파라미터 중 단락 순방향 전류 이득은?
  • ① h11
  • ② h21
  • ③ h12
  • ④ h22

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28. R=8[Ω], XL=8[Ω], XC=2[Ω]인 R-L-C 직렬회로에 정현파 전압 V=100[V]를 인가할 때 흐르는 전류는?
  • ① 10[A]
  • ② 20[A]
  • ③ 30[A]
  • ④ 40[A]

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29. 고유저항 ρ, 반지름 r, 길이 ℓ인 전선의 저항이 R일 때, 같은 재료로 반지름은 m배, 길이는 n배로 하면 저항은 몇 배가 되는가?
  • ① m2/n
  • ② m/n
  • ③ n/m
  • ④ n/m2

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30. 시간 a만큼 옮겨진 그림과 같은 단위 계단 함수를 라플라스 변환하면?
  • ①
  • ②
  • ③
  • ④

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31. 2개 이상의 전원을 내포한 선형 회로에서 어떤 가지에 흐르는 전류나 단자의 전압을 해석하는데 사용하는 것은?
  • ① 중첩의 원리
  • ② 치환정리
  • ③ Thevenin의 정리
  • ④ Norton의 정리

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32. 일 때 e1+e2의 실효치는 약 얼마인가?
  • ① √4400
  • ② √3900
  • ③ √3100
  • ④ √2900

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33. 그림과 같은 파형을 실수 푸리에 급수로 전개할 때 다음에서 옳은 것은?
  • ① sin항, cos항을 쓰면 유한항으로 전개된다.
  • ② sin항, cos항 모두 있다.
  • ③ cos항은 없다.
  • ④ sin항은 없다.

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34. 다음 회로망의 합성 저항은?
  • ① 6[Ω]
  • ② 12[Ω]
  • ③ 30[Ω]
  • ④ 50[Ω]

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35. 두 회로 간에 쌍대 관계가 옳지 않은 것은?
  • ① KㆍVㆍL → KㆍCㆍL
  • ② 테브난 정리 → 노튼 정리
  • ③ 전압원 → 전류원
  • ④ 폐로전류 → 절점전류

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36. 기본파의 10[%]인 제3고조파와 20[%]인 제5고조파를 포함하는 전압파의 왜형률은 약 얼마인가?
  • ① 0.5
  • ② 0.42
  • ③ 0.31
  • ④ 0.22

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37. 회로에 60+j80[V]인 전압을 인가하여 4+j1[A] 전류가 흐를 때 소비되는 유효전력은?
  • ① 140[W]
  • ② 320[W]
  • ③ 480[W]
  • ④ 500[W]

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38. RC 직렬회로에서 직류전압을 인가할 때 전류값이 초기값의 e-2배가 되는 시간[s]은?
  • ① 2RC
  • ② RC
  • ③ C/R
  • ④ 1/RC

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39. 그림의 T형 4단자 회로에 대한 전송 파라미터 D는?
  • ①
  • ②
  • ③
  • ④

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40. 100[μF]의 콘덴서에 100[V], 60[Hz]의 교류전압을 가할 때 무효전력은?
  • ① -40π[Var]
  • ② -60π[Var]
  • ③ -120π[Var]
  • ④ -240π[Var]

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3과목 : 전자회로
41. 다음 회로에서 VCE는 약 몇 [V]인가? (단, βDC는 100이다.)
  • ① 3.4
  • ② 5.7
  • ③ 6.2
  • ④ 7.6

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42. 전가산기를 반가산기 몇 개와 어떤 논리 게이트 몇 개로 구성하는 것이 가장 적당한가?
  • ① 반가산기 2개, AND 게이트 1개
  • ② 반가산기 2개, OR 게이트 2개
  • ③ 반가산기 3개, OR 게이트 1개
  • ④ 반가산기 2개, OR 게이트 1개

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43. R-L-C 병렬 공진회로에서 선택도(Q)를 높게 하려면?
  • ① R 값을 크게 한다.
  • ② R 값을 작게 한다.
  • ③ C 값을 작게 한다.
  • ④ L 값을 크게 한다.

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44. QAM(직교진폭변조) 방식에 대한 설명으로 옳은 것은?
  • ① FSK 변조방식의 일종이다.
  • ② AM 변조방식과 FSK 변조방식을 혼합한 것이다.
  • ③ FSK 변조방식과 PSK 변조방식을 혼합한 것이다.
  • ④ 정보신호에 따라 반송파의 진폭과 위상을 변화시키는 APK 변조방식의 한 종류이다.

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45. 짧은 ON 시간과 긴 OFF 시간을 가지며 펄스신호를 사용하는 증폭기회로에서 주로 쓰이는 증폭기는?
  • ① A급
  • ② B급
  • ③ C급
  • ④ D급

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46. 이상적인 연산 증폭기에서 입력 바이어스 전류에 대해 옳은 것은?
  • ① V0 = 0일 때 (IB1 + IB2) / 2
  • ② V0 = ∞일 때 (IB1 + IB2) / 2
  • ③ V0 = 0일 때 (IB1 + IB2)
  • ④ V0 = ∞일 때 (IB1 + IB2)

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47. 정류회로에서 전압 안정계수가 0.01일 때 정전압회로의 입력 전압이 ±5[V] 변화하면 출력 전압은?
  • ① ±40[mV]
  • ② ±50[mV]
  • ③ ±60[mV]
  • ④ ±70[mV]

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48. 트랜지스터를 베이스 접지에서 이미터 접지로 해서 ICEO가 50배가 되었을 때 트랜지스터의 β는?
  • ① 49
  • ② 50
  • ③ 59
  • ④ 120

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49. 압전현상을 이용하여 안정도가 높은 발진주파수를 얻는 발진기는?
  • ① VCO
  • ② 빈브리지 발진기
  • ③ 수정 발진기
  • ④ hartley 발진기

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50. 위상천이(이동)형 RC 발진기에 대한 설명으로 옳은 것은?
  • ① 펄스 발진기로 많이 사용된다.
  • ② 100[MHz]대의 높은 주파수 발진용으로 적합하다.
  • ③ 발진을 계속하기 위해서 증폭도는 29보다 작아야 한다.
  • ④ 병렬 저항형 이상형 발진기의 발진주파수는 1/2π√RC[Hz]이다.

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51. 부귀환 입력임피던스 변화에 대한 설명으로 틀린것은?
  • ① 전류 병렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
  • ② 전류 직렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
  • ③ 전압 병렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
  • ④ 전압 직렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.

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52. 다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?
  • ① 평형 변조회로
  • ② 전파 정류회로
  • ③ 배전압 정류회로
  • ④ 반파 정류회로

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53. 2진 디지털 부호의 정보 내용에 따라 반송파의 위상을 두 가지로 천이되도록 하는 변조방식은?
  • ① FSK 방식
  • ② PSK 방식
  • ③ ASK 방식
  • ④ QAM 방식

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54. B급 푸시풀(Push-Pull) 증폭기의 특징이 아닌 것은?
  • ① 트랜지스터의 비선형 특성에서 오는 일그러짐이 증가한다.
  • ② 우수 고조파가 상쇄되어 일그러짐이 적다.
  • ③ 차단 상태 부근에 바이어스 되어 있다.
  • ④ 컬렉터 효율이 높다.

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55. 교류전압에 직류전압을 더하는 것으로 직류 복원기(DC Restorer)라고 하는 회로는?
  • ① 클램퍼
  • ② 제너제한
  • ③ 리미터
  • ④ 체배기

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56. 다음 회로는 어떤 회로인가?
  • ① 전류귀환 증폭회로
  • ② 전압귀환 증폭회로
  • ③ 임피던스귀환 증폭회로
  • ④ 어드미턴스귀환 증폭회로

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57. J-K 플립플롭의 J와 K 입력단자를 하나로 묶어 놓은 플립플롭으로 1을 인가하면 출력이 토글되는 플립플롭은?
  • ① RS 플립플롭
  • ② D 플립플롭
  • ③ T 플립플롭
  • ④ RS 마스터 슬레이브 플립플롭

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58. 연산증폭기의 일반적인 특징에 대한 설명으로 옳은 것은?
  • ① 주파수 대역폭이 좁다.
  • ② 입력 임피던스가 낮다.
  • ③ 동상신호제거비가 크다.
  • ④ 온도변화에 따른 드리프트가 크다.

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59. FET의 핀치오프(Pinch off) 전압에 대한 설명으로 틀린 것은?
  • ① 불순물 농도에 비례한다.
  • ② 채널 폭의 자승에 비례한다.
  • ③ 캐리어(Carrier)의 전하량에 반비례한다.
  • ④ 채널(Channel)이 완전히 막히는 상태에 이르는 전압이다.

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60. 다음 회로는 βDC=100이고, RC=1[kΩ], RE=470[Ω]인 트랜지스터의 베이스에서 바라본 직류 입력저항은?
  • ① 1[kΩ]
  • ② 47[kΩ]
  • ③ 100[kΩ]
  • ④ 470[kΩ]

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4과목 : 물리전자공학
61. 페르미 준위에 대한 설명으로 틀린 것은?
  • ① T=0[K]가 아닌 경우 전자의 존재 확률은 50%가 된다.
  • ② 0[K]에서 전자의 최고 에너지가 된다.
  • ③ 0[K]에서 n형 반도체의 경우 전도대와 도너준위 사이에 위치한다.
  • ④ 진성 반도체의 경우 온도와 무관하게 전도대에 위치한다.

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62. 순방향 전압이 걸린 PN 접합(부)의 특성을 설명한 것으로 옳지 않은 것은?
  • ① 접합부의 저항은 외부 전압에 따라 변한다.
  • ② 접합부의 저항은 전류에 반비례한다.
  • ③ 접합부의 저항은 온도와 무관하다.
  • ④ 접합부에는 전압이 생긴다.

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63. 어떤 광자가 물질을 통과한 후 2537Å 및 4078Å의 두 광자로 분리되었을 때, 원래 조사한 빛의 파장은?
  • ① 1270Å
  • ② 1564Å
  • ③ 2040Å
  • ④ 6615Å

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64. 트랜지스터의 증폭회로에서 안정도(stability factor)는? (단, IC는 컬렉터 전류, IB는 베이스 전류, ICD는 컬렉터 역포화 전류)
  • ①
  • ②
  • ③
  • ④

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65. 트랜지스터의 전류이득 α를 크게 하는 조건으로 틀린 것은?
  • ① 베이스폭을 좁게 한다.
  • ② 이미터의 도핑(doping)을 베이스의 도핑보다 크게 한다.
  • ③ 캐리어의 수명을 길게 한다.
  • ④ 이미터 전류를 크게 한다.

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66. 정상 바이어스를 가한 npn 트랜지스터에서 컬렉터 접합에 흐르는 주된 전류는?
  • ① 확산 전류
  • ② 드리프트 전류
  • ③ 정공 전류
  • ④ 베이스 전류와 같다.

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67. 금속내부의 자유전자에 에너지를 공급하면 금속 밖으로 튀어나오는 현상이 아닌 것은?
  • ① 열전자방출
  • ② 광전자방출
  • ③ 전계방출
  • ④ 저항방출

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68. 터널(tunnel) 다이오드에 대한 설명으로 틀린것은?
  • ① 음성 저항(Negative resistance) 특성을 가진다.
  • ② N형 반도체의 페르미 준위는 금지대 내에 존재한다.
  • ③ P형 반도체의 페르미 준위는 가전자대 내에 존재한다.
  • ④ 능동소자로서 발진기로 사용한다.

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69. 페르미-디랙(Fermi-Dirac) 분포에 대한 설명이 틀린 것은?
  • ① 고체 내의 전자는 Pauli의 배타원리의 지배를 받는다.
  • ② 대부분의 전자는 페르미 준위 이상의 에너지 역에 존재한다.
  • ③ 분포형태는 금속의 온도에 변화한다.
  • ④ 도체가 가열될 때 전자는 분자 비열 용량에 거의 영향을 주지 못한다.

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70. 직경 4[mm]인 동선에 4[A]의 전류가 흐르고 있을 때 전자의 평균이동속도는? (단, n=8.2×1023[개/cm3], e=1.602×10-19[C])
  • ① 2.43[μm/s]
  • ② 4.66[μm/s]
  • ③ 6.43[μm/s]
  • ④ 8.66[μm/s]

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71. PN 접합에 순바이어스(forward-bias)를 가할 때 공핍층의 폭은 무바이어스 시 보다 어떠한가?
  • ① 변함이 없다.
  • ② 좁아진다.
  • ③ 넓어진다.
  • ④ 넓어지기도 하고 좁아지기도 한다.

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72. 반도체(semiconductor)에 대한 설명으로 옳은 것은?
  • ① 홀(hole)의 이동도는 자유전자의 이동도보다 작다.
  • ② 게르마늄(Ge)에 비소(As)를 첨가시키면 P형 반도체가 된다.
  • ③ P형 반도체는 정공보다는 자유전자가 더 많다.
  • ④ 온도를 증가시키면 저항은 증가한다.

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73. MOSFET의 구조와 동작원리에 대한 설명으로 옳은 것은?
  • ① n채널 MOSFET의 단면구조는 드레인-소스간 p형 반도체의 기판 위에 절연체를 붙이고, 그 위에금속단자를 붙여 게이트 단자를 만든다.
  • ② n채널 MOSFET의 동작원리는 게이트 단자에 문턱전압 이상의 (+) 전압을 인가하면 MOSFET 드레인-소스 사이는 2개의 역방향 다이오드와 같은 등가회로를 갖는다.
  • ③ p채널 MOSFET의 단면구조는 p형 반도체 기판(Substrate)에 2개의 p+형 반도체를 형성시킨다.
  • ④ n채널 MOSFET의 단면구조는 n형 반도체 기판(Substrate)에 2개의 p+형 반도체를 형성시킨다.

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74. 피에조 저항(piezo resistance)은?
  • ① 압력 변화에 의한 저항의 변화이다.
  • ② 자계 변화에 의한 저항의 변화이다.
  • ③ 온도 변화에 의한 저항의 변화이다.
  • ④ 광전류 변화에 의한 저항의 변화이다.

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75. 도체, 반도체, 절연체의 에너지 대역에 관한 설명으로 틀린 것은?
  • ① 도체는 전도대와 가전자대가 중첩되었다.
  • ② 반도체의 금지대역폭이 절연체보다 작다.
  • ③ 도체의 금지대역폭이 반도체보다 작다.
  • ④ 반도체는 금지대역폭이 5eV 이상이다.

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76. 컬렉터 접합부의 온도 상승으로 인하여 트랜지스터가 파괴되는 현상은?
  • ① 얼리 현상
  • ② 항복 현상
  • ③ 열폭주 현상
  • ④ 펀치 스로우 현상

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77. 실리콘 n형 반도체에 관한 설명으로 옳은 것은?
  • ① 불순물은 3개의 가전자 만을 갖는다.
  • ② 억셉터(acceptor) 불순물을 첨가하여 제작한다.
  • ③ 정공은 소수 캐리어이다.
  • ④ 진성 반동체이다.

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78. 초전도 현상에 대한 설명으로 틀린 것은?
  • ① 초전도체는 완전도체의 성질을 갖는다.
  • ② 초전도체는 완전 반자성체의 성질을 갖는다.
  • ③ 초전도 상태에 있는 물질 내에서는 전계가 0이다.
  • ④ 초전도체를 관통하는 자속의 시간적 변화는 완전히 주기적이다.

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79. 광속도의 1/5의 속도로 운동하고 있는 전자의 드브로이(de Broglie) 파장은? (단, h=6.6×10-34[Jㆍsec], 전자의 질량 m=9.1×10-31[kg], 광속도 c=3×108[m/sec])
  • ① 2.3×10-13[m]
  • ② 2.3×10-11[m]
  • ③ 1.2×10-13[m]
  • ④ 1.2×10-11[m]

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80. 반도체의 전도에 관한 설명으로 틀린 것은?
  • ① 반도체의 저항은 온도의 증가에 따라 감소한다.
  • ② 캐리어의 이동도는 온도와 결정구조의 규칙성에 따라 변한다.
  • ③ 절대온도 0[K]에서 모든 가전자는 전도대에 존재한다.
  • ④ 자유전자가 정공과 결합하는 과정을 재결합이라 한다.

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5과목 : 전자계산기일반
81. C 언어 중 모든 면에서 구조체와 같으며 선언문법이나 사용하는 방법이 같은 것은?
  • ① constant
  • ② array
  • ③ union
  • ④ pointer

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82. 주소지정 방식 중에서 반드시 누산기를 필요로 하는 방식은?
  • ① 3-주소지정 방식
  • ② 2-주소지정 방식
  • ③ 1-주소지정 방식
  • ④ 0-주소지정 방식

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83. 명령어의 형식에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
  • ① 3-주소 명령어 형식은 3개의 자료 필드를 갖고 있다.
  • ② 2-주소 명령어 형식에서는 연산 후에도 원래 입력 자료가 항상 보존된다.
  • ③ 1-주소 명령어 형식에서는 연산 결과가 항상 누산기(accumulator)에 기억된다.
  • ④ 0-주소 명령어 형식을 사용하는 컴퓨터는 일반적으로 스택(stack)을 갖고 있다.

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84. 2진수 (1110.0111)2를 16진수로 옳게 바꾼 것은?
  • ① (7.7)16
  • ② (14.14)16
  • ③ (E.7)16
  • ④ (E.E)16

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85. 다음 프로그램 작성 과정을 순서대로 올바르게 나열한 것은?
  • ① ㉣ → ㉠ → ㉡ → ㉢ → ㉤
  • ② ㉣ → ㉠ → ㉡ → ㉤ → ㉢
  • ③ ㉠ → ㉣ → ㉡ → ㉢ → ㉤
  • ④ ㉠ → ㉡ → ㉤ → ㉢ → ㉣

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86. 원시 프로그램을 목적 프로그램으로 바꾸어 주기억장치에 저장하기까지의 실행과정으로 옳은 것은?
  • ① 컴파일러 → 로더 → 링커
  • ② 링커 → 컴파일러 → 로더
  • ③ 링커 → 로더 → 컴파일러
  • ④ 컴파일러 → 링커 → 로더

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87. 10진수 13을 그레이 코드(Gray code)로 변환하면?
  • ① 1001
  • ② 0100
  • ③ 1100
  • ④ 1011

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88. 컴퓨터 확장슬롯에 연결되는 PCI 신호 중에서 현재 지정된 어드레스가 디코딩되어 접근이 가능한지를 나타내는 신호는?
  • ① LOCK
  • ② STOP
  • ③ IDSEL
  • ④ TRDY

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89. 그림과 같은 회로의 명칭은?
  • ① 반가산기
  • ② 전가산기
  • ③ 전감산기
  • ④ parity checker

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90. 프로그램이 수행되는 도중에 인터럽트가 발생되면 현 사이클의 일을 끝내고 프로그램이 수행될 수 있도록 현주소를 지시하는 것은?
  • ① 상태 레지스터
  • ② 프로그램 레지스터
  • ③ 스택 포인터
  • ④ 인덱스 레지스터

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91. 서브루틴 호출시 필요한 자료 구조는?
  • ① 환형 큐(circular queue)
  • ② 다중 큐(multi queue)
  • ③ 스택(stack)
  • ④ 트리(tree)

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92. 논리회로를 설계하는 과정에서 최적화를 위한 고려 대상이 아닌 것은?
  • ① 전파 지연신가의 최소화
  • ② 사용 게이트 수의 최소화
  • ③ 게이트 종류의 다양화
  • ④ 게이트 간 상호변수의 최소화

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93. 16비트로 나타낼 수 있는 정수의 범위는?
  • ① -216 ~ 216
  • ② -216-1 ~ 216+1
  • ③ -215 ~ 215
  • ④ -215 ~ 215-1

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94. 콘솔(console)이나 보조기억장치에서 마이크로프로그램이 로드(load)되는 기법은?
  • ① dynamic micro-programming
  • ② static micro-programming
  • ③ horizontal micro-programming
  • ④ vertical micro-programming

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95. 소프트웨어적으로 인터럽트의 우선순위를 결정하는 인터럽트 형식은?
  • ① 벡터 방식에 의한 인터럽트
  • ② 슈퍼바이저 콜에 의한 인터럽트
  • ③ 데이지체인 방법에 의한 인터럽트
  • ④ 폴링 방법에 의한 인터럽트

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96. 메모리 장치와 주변 장치 사이에서 데이터의 입출력 전송이 직접 이루어지는 것은?
  • ① DMA
  • ② MIMO
  • ③ UART
  • ④ MIPS

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97. 컴퓨터가 직접 해독할 수 있는 2진 숫자(binary digit)로 나타낸 언어는?
  • ① 기계어(machine language)
  • ② 컴파일러 언어(compiler language)
  • ③ 어셈블리 언어(assembly language)
  • ④ 기호식 언어(symbolic language)

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98. 전기신호에 의하여 자료를 기록하고, 삭제할 수 있는 ROM은?
  • ① MASK ROM
  • ② PROM
  • ③ EEPROM
  • ④ EPROM

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99. 10110과 01111을 exclusive-OR 하였을 때의 결과는?
  • ① 00111
  • ② 00110
  • ③ 11000
  • ④ 11001

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100. CPU의 수행 상태를 나타내는 주 상태(Major State) 중에서 메모리로부터 실행하기 위한 다음 명령의 번지를 결정한 후 메모리로부터 명령을 CPU로 읽어 들이는 동작은?
  • ① Fetch 상태
  • ② Indirect 상태
  • ③ Execute 상태
  • ④ Interrupt 상태

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