전자기사(2006. 9. 10.) 시험일자 : 2006년 9월 10일

1과목 : 전기자기학
1. 진공 중에서 정전용량이 C0 [F]인 평행판콘덴서에 그림과 같이 판면적의 2/3에 비유전률 εS인 에보나이트판을 삽입하면 콘덴서의 정전용량은 몇 F가 되는가?
  • ① C0/3
  • ② 2εSC0/3
  • ③ 2εSC02

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2. 진공 중에 서로 떨어져 있는 두 도체 A, B 가 있다. 도체 A에만 1C의 전하를 줄 때 도체 A, B 의 전위가 각각 3V와 2V 이었다. 지금 A, B 에 각각 2C 및 1C 의 전하를 주면 도체 A의 전위는 몇 V인가?
  • ① 8
  • ② 9
  • ③ 10
  • ④ 11

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3. 콘덴서 간에 유전율 10-10 [F/m], 도전율 5×10-6 [℧/m]인 도전성 물질이 있을 때 정전용량이 10㎌ 이라면 콘덕턴스는 몇 ℧ 인가?
  • ① 0.5
  • ② 1
  • ③ 1.5
  • ④ 2

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4. ∇ × (∇ρ) = cur1(gradρ)의 값은?
  • ① 0
  • ② -1
  • ③ 1
  • ④ ρ

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5. 정전용량이 각각 C1, C2, 그 사이의 상호유도계수가 M인 절연된 두 도체가 있다. 두 도체를 가는 선으로 연결할 경우, 그 정전용량은 어떻게 표현되는가?
  • ① C1 + C2 - M
  • ② C1 + C2 + M
  • ③ C1 + C2 + 2M
  • ④ 2C1 + 2C2 + M

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6. 전하 q[C]이 공기 중의 자계 H[AT/m]에 수직 방향으로 v[m/s]의 속도로 돌입하였을 때 받는 힘은 몇 N 인가?
  • ① μ0qvH
  • ③ qvH
  • ④ qH/μ0v

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7. 다음 중 상자성체는?
  • ① 철(Fe)
  • ② 코발트(Co)
  • ③ 백금(Pt)
  • ④ 니켈(Ni)

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8. 진공 중에서 전기쌍극자 M, M으로부터 임의의 점 P까지의 거리 r, M 과 r 이 이루는 각을 θ라 하면 P 점에서 전계의 r 방향성분 Er과 θ 방향성분 Eθ 는?

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9. 반지름 a[m]인 2개의 원형 선조 루프가 ±Z 축상에 그림과 같이 놓여진 경우 I[A] 의 전류가 흐를 때 원형전류 중심축상의 자계 Hz [A/m] 는? (단, az, aø는 단위벡터이다.)

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10. 반지름이 a[m]이고, 두께 t[m]인 원판도체의 외부와 내부에 전하밀도 +σ[C/m2], -σ[C/m2]의 전하가 균일하게 분포되어 있다. 원판의 중심축상에서 중심으로부터 d[m]의 거리에 있는 점 P 의 전위는 몇 V 인가?

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11. 전위함수 V = x2 + y2 [V]일 때 점(3,4)[m]에서의 등전위선의 반지름은 몇 m 이며, 전력선방정식은 어떻게 되는가?
  • ① 등전위선의 반지를 : 3, 전력선 방정식 :
  • ② 등전위선의 반지를 : 4, 전력선 방정식 :
  • ③ 등전위선의 반지를 : 5, 전력선 방정식 :
  • ④ 등전위선의 반지를 : 5, 전력선 방정식 :

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12. 강자성체의 자속밀도 B의 크기와 자화의 세기 J의 크기 사이에는 어떤 관계가 있는가?
  • ① J는 B와 같다.
  • ② J는 B보다 약간 작다.
  • ③ J는 B보다 약간 크다.
  • ④ J는 B보다 대단히 크다.

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13. 다음 식 중 틀린 것은?
  • ② E = -grad V
  • ④ 

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14. E = (i + j2 + k3)[V/㎝] 로 표시되는 전계가 있다. 0.01μC의 전하를 원점으로부터 i3[m]로 움직이는데 필요한 일은 몇 J 인가?
  • ① 3×10-8
  • ② 3×10-7
  • ③ 3×10-6
  • ④ 3×10-5

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15. Ωㆍsec와 같은 단위는?
  • ① F
  • ② F/m
  • ③ H
  • ④ H/m

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16. 대전된 도체의 표면 전하밀도는 도체표면의 모양에 따라 어떻게 되는가?
  • ① 곡률반경이 크면 커진다.
  • ② 곡률반경이 크면 작아진다.
  • ③ 표면모양에 관계없다.
  • ④ 평면일 때 가장 크다.

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17. 수직편파는?
  • ① 대지에 대해서 전계가 수직면에 있는 전자파
  • ② 대지에 대해서 전계가 수평면에 있는 전자파
  • ③ 대지에 대해서 자계가 수직면에 있는 전자파
  • ④ 대지에 대해서 자계가 수평면에 있는 전자파

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18. 그림에서 전계와 전속밀도의 분포 중 맞는 것은? (단, 경계면에 전하가 없는 경우이다.)
  • ① E11 = 0, Dn1 = ρs
  • ② E12 = 0, Dn2 = ρs
  • ③ E11 = E12, Dn1 = Dn2
  • ④ E11 = E12 = 0, Dn1 = Dn2 = 0

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19. 자장 내에 전하가 받는 힘에 대한 설명이 틀린 것은?
  • ① 자장에 전하의 이동속도에 따른 힘이 존재한다.
  • ② 자장에 놓여 진 도선전류가 흐르면 도선이 힘을 받는다.
  • ③ 자장 내 전하가 받는 힘은 렌츠(Lentz)의 법칙에 따른다.
  • ④ 전계와 자계가 공존하는 공간에서 전하가 받는 힘을 로렌츠(Lorentz)힘으로 표현된다.

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20. 단면적 s[m2], 단위 길이에 대한 권수가 n[회/m]인 무한히 긴 솔레노이드의 단위 길이당의 자기인덕턴스는 몇 H/m인가?
  • ① μㆍsㆍn
  • ② μㆍsㆍn2
  • ③ μㆍs2ㆍn2
  • ④ μㆍs2ㆍn

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2과목 : 회로이론
21. 다음 중 e-atsinωt 의 라플라스 변환은?
  • ① S + a/(S + a)2 + ω2
  • ② ω/(S - a)2 + ω2
  • ③ ω/(S + a)2 + ω2
  • ④ ω/(S + a) + ω

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22. t의 함수 f(t)가 f(t) = f(-t)의 조건을 만족할 때 f(t)는?
  • ① 기함수
  • ② 우함수
  • ③ 정현대칭함수
  • ④ 복소함수

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23. 그림과 같은 4단자 회로망의 임피던스 파라미터 Z11 은?
  • ① Z11 = R1 + R3
  • ② Z11 = R2 + R3
  • ③ Z12 = -R3

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24. 정 K형 저역통과 필터의 공칭 임피던스는?
  • ④ 

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25. 임피던스 함수 로 표시되는 2단자 회로망을 도시하면?

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26. 전기회로에서 일어나는 과도현상과 시정수와의 관계를 옳게 표현한 것은?
  • ① 과도현상과 시정수와는 관계가 없다.
  • ② 시정수가 클수록 과도현상은 빨리 사라진다.
  • ③ 시정수의 역이 클수록 과도현상은 빨리 사라진다.
  • ④ 시정수의 역이 클수록 과도현상이 오래 지속 된다.

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27. 내부저항 r[Ω]인 전원이 있다. 부하 R에 최대 전력을 공급하기 위한 조건은?
  • ① r = 2R
  • ② R = r
  • ③ R = r2
  • ④ R = r3

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28. R = 20[Ω], L = 0.05[H], C = 1[㎌]인 RLC 직렬회로에서 Q는 약 얼마인가?
  • ① 25.2
  • ② 17.2
  • ③ 15.2
  • ④ 11.2

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29. 최대 눈금이 50[V]인 직류 전압계가 있다. 이 전압계를 사용하여 150[V]의 전압을 측정하려면 배율기의 저항은 몇 [Ω]을 사용하여야 하는가? (단, 전압계의 내부 저항은 5000[Ω]이다.)
  • ① 10000
  • ② 15000
  • ③ 20000
  • ④ 25000

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30. 다음 중 파형의 대칭성에 해당 되지 않는 것은?
  • ① 우함수
  • ② 기함수
  • ③ 고조파 대칭
  • ④ 반파 대칭

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31. R-L-C 직렬회로가 유도성 회로일 때의 설명이 옳은 것은?
  • ① 전류는 전압보다 뒤진다.
  • ② 전류는 전압보다 앞선다.
  • ③ 전류와 전압은 동위상이다.
  • ④ 공진이 되어 지속적으로 발진한다.

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32. 필터의 차단 주파수는 출력 전압이 입력 전압의 몇 배인 주파수로 정의하는가?
  • ① 배
  • ② 배
  • ③ 1/2배
  • ④ 배

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33. “회로망 중의 임의의 폐회로에 있어서 그 각지로(枝路)의 전압 강하의 총합은 그 폐회로 중의 기전력의 총 합과 같다.” 이와 관계되는 법칙은?
  • ① 플레밍의 법칙
  • ② 렌쯔의 법칙
  • ③ 패러데이의 법칙
  • ④ 키르히호프의 법칙

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34. 원점을 지나지 않는 원의 역 궤적은?
  • ① 원점을 지나는 원
  • ② 원점을 지나는 직선
  • ③ 원점을 지나지 않는 원
  • ④ 원점을 지나지 않는 직선

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35. 다음 설명 중 옳은 것은?
  • ① 루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서도 적용될 수 있다.
  • ② 루프 해석법과 망로 해석법은 절점 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서만 적용될 수 있다.
  • ③ 루프 해석법과 망로 해석법 및 절점 해석법 모두 비평면 회로에 대해서도 적용될 수 있다.
  • ④ 루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 평면 회로에 대해서만 적용될 수 있다.

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36. 그림과 같은 정 K형 필터가 있다고 할 때, 이 필터는?
  • ① 중역 필터
  • ② 대역 필터
  • ③ 저역 필터
  • ④ 고역 필터

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37. R-L-C 직렬회로에서 과도현상의 진동이 일어나지 않을 조건은?
  • ① (R/2L)2 - 1/LC > 0
  • ② (R/2L)2 - 1/LC < 0
  • ③ (R/2L)2 = 1/LC
  • ④ R/2L = 1/LC

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38. 시간 t에 대하여 그림과 같은 파형의 전류가 20[Ω] 저항에 흐를 때 소비전력이 100[W]이다. 이 전류를 가동 코일형 계기로 측정하면 약 몇 [A]를 나타내겠는가?
  • ① 0.79[A]
  • ② 1.58[A]
  • ③ 2.24[A]
  • ④ 3.16[A]

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39. 자계 코일에 권수 N = 2000회, 저항 R = 6Ω에서 전류 I = 10A 가 통과하였을 경우 자속 ø = 6×10-2 Wb 이다. 이 회로의 시정수는 몇 sec 인가?
  • ① 1
  • ② 2
  • ③ 10
  • ④ 12

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40. 두 코일 간의 유도 결합의 정도를 나타내는 결합계수 K에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
  • ① K=1은 상호 자속이 전혀 없는 경우이다.
  • ② K=0은 유도 결합이 전혀 없는 경우이다.
  • ③ K=1은 누설 자속이 전혀 없는 경우이다.
  • ④ 결합계수 K는 0과 1 사이의 값을 갖는다.

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3과목 : 전자회로
41. 다음 Karnaugh 도로 된 함수를 최소화 하면?
  • ① AB
  • ④ AC

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42. 다음 중 직렬 전류 궤환 증폭기의 궤환 신호 성분은?
  • ① 전압
  • ② 전류
  • ③ 전력
  • ④ 임피던스

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43. 배타적 OR(Exclusive OR)와 AND gate의 기능을 동시에 갖는 회로는?
  • ① 플립플롭 회로
  • ② 래치 회로
  • ③ 전 가산기 회로
  • ④ 반 가산기 회로

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44. 다음 중 PLL 회로의 구성요소가 아닌 것은?
  • ① Phase detector(위상 검파기)
  • ② HPF(고역 통과 필터)
  • ③ VOD(전압 제어 발전기)
  • ④ Reference Oscillator(기준발진기)

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45. 트랜지스터의 컬렉터 누설 전류가 주위 온도 변화로 20μA에서 150μA로 증가할 때 컬렉터 전류가 1mA에서 1.2mA로 되었다면 안정도 S는 약 얼마인가?
  • ① 1.5
  • ② 1.8
  • ③ 2.0
  • ④ 2.2

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46. 다음 B급 푸시풀(Push-Pull) 증폭기의 특징이 아닌 것은?
  • ① 차단 상태 부근에 바이어스 되어 있다.
  • ② 트랜지스터의 비선형 특성에서 오는 일그러짐이 증가 한다.
  • ③ 우수 고조파가 상쇄되어 일그러짐이 적다.
  • ④ B급이다, AB급으로 동작시킨다.

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47. 2진 디지털 부호에 따라서 반송파의 위상이 두 가지로 천이 되도록 하는 변조방식은?
  • ① PSK 방식
  • ② FSK 방식
  • ③ ASK 방식
  • ④ DPCM 방식

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48. 저주파 전력 증폭기의 출력 측 기본파 전압이 100[V], 제2 및 제3 고조파 전압이 각각 4[V]와 3[V]이면 이 경우의 왜율은?
  • ① 5%
  • ② 10%
  • ③ 15%
  • ④ 20%

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49. 다음 이상적인 연산증폭기의 특성이 아닌 것은?
  • ① 온도에 대하여 드리프트(drift)가 없는 특성을 가진다.
  • ② 대역폭(BW) = 0
  • ③ 출력 저항(Ro) = 0
  • ④ 전압이득 lAvl = ∞

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50. 그림에서 A는 반전 연산 증폭기이다. V1 - V0의 관계는?

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51. 그레이 코드(Gray code) 1111을 2진수로 변환하면?
  • ① 1110
  • ② 1010
  • ③ 1011
  • ④ 1111

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52. 그림과 같은 논리회로를 간소화 하면?
  • ① X = A + B + C
  • ② X = B + C
  • ④ X = ABC

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53. 다음 중 연산증폭기의 응용 회로가 아닌 것은?
  • ① 적분 증폭기
  • ② 미분 증폭기
  • ③ 아날로그 가산증폭기
  • ④ 디지털 반가산증폭기

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54. 다음 표는 부궤환에 의한 입ㆍ출력 임피던스의 변화이다. ( )안의 보기 내용 중 옳지 않은 것은?
  • ① ① 증가
  • ② ② 감소
  • ③ ③ 감소
  • ④ ④ 증가

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55. 연산증폭기(op amp.)와 다이오드로 구성된 다음 그림과 같은 회로의 명칭은?
  • ① 진폭제한회로
  • ② 반파정류회로
  • ③ 전파정류회로
  • ④ 정현파-삼각파 변환회로

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56. 다음 중 Exclusive OR 회로에 대한 논리식이 아닌 것은? (단, Y는 출력이고, A와 B는 입력임)
  • ② Y = A⊕B

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57. 다음 그림의 회로에서 Re의 중요한 역할은?
  • ① 동작점의 안정화
  • ② 주파수 대역폭 증대
  • ③ 바이어스 전압감소
  • ④ 출력증대

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58. 다음 중 가장 적당한 고주파 전력 증폭기는?
  • ① A급 증폭기
  • ② B급 증폭기
  • ③ C급 증폭기
  • ④ AB급 증폭기

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59. 전원 정류회로의 리플 함유율을 적게 하는 방법으로 옳지 않은 것은?
  • ① 입력측 평활용 콘덴서 정전 용량을 크게 한다.
  • ② 평활용 초크 코일의 인덕턴스를 크게 한다.
  • ③ 출력측 평활용 콘덴서를 정전 용량을 작게 한다.
  • ④ 교류 입력전원의 주파수를 높게 한다.

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60. 다음 중 고주파 트랜지스터에서 fα 와 fβ 의 관계식은? (단, α0 : CB의 저주파 단락 전류 증폭률, β0 : CE의 저주파 단락 전류 증폭률)
  • ① fs = β0ㆍfα
  • ② fs = (1+α0)ㆍfα
  • ④ fβ = fα(1-β0)

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4과목 : 물리전자공학
61. 다음 중 플라즈마(Plasma)와 같은 기체 상태의 경우 적용될 수 있는 분포식은?
  • ① Schro dinger 방정식
  • ② Maxwell-Boltzmann
  • ③ 1차원의 Poisson 방정식
  • ④ Einstein 관계식

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62. 반도체 재료의 제조시 고유저항 측정을 가끔 하는 이유는?
  • ① 다결정 재료의 수명 시간을 결정하기 때문
  • ② 진성 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
  • ③ 불순물 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
  • ④ 캐리어의 이동도를 결정하기 때문

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63. 다음 중 홀(hall) 효과와 가장 관계가 깊은 것은?
  • ① 고저항 측정기
  • ② 전류계
  • ③ 자장계
  • ④ 분압계

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64. 금속 표면에 빛을 조사하면 금속 내의 전자가 방출하는 현상은?
  • ① 열전자 방출
  • ② 냉음극 방출
  • ③ 2차 전자 방출
  • ④ 광전자 방출

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65. 평행판 A, B 사이의 거리가 1[㎝]이며, 판 B에 대한 판 A의 전위는 +100[V]이다. 초기속도 0으로 판 B를 출발한 전자가 판 A에 도달하는데 걸리는 시간은 약 몇 [sec]인가?
  • ① 3.37×10-7
  • ② 1.69×10-7
  • ③ 1.69×10-8
  • ④ 3.37×10-9

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66. 트랜지스터가 차단 영역에 있을 때 접합 면에 걸리는 전압은?
  • ① EB 접합 : 정바이어스, CB 접합 : 정바이어스
  • ② EB 접합 : 정바이어스, CB 접합 : 역바이어스
  • ③ EB 접합 : 역바이어스, CB 접합 : 역바이어스
  • ④ EB 접합 : 역바이어스, CB 접합 : 정바이어스

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67. 다음 중 물질을 구성하는 요소가 아닌 것은?
  • ① 전자
  • ② 양성자
  • ③ 중성자
  • ④ 쌍극자

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68. 다음 설명 중 옳지 않은 것은?
  • ① 진성반도체에서 전자의 밀도와 정공의 밀도는 같다.
  • ② 불순물 반도체의 고유저항은 진성반도체의 고유저항 보다 크다.
  • ③ 열적 평형상태에서 전자와 정공의 열적 생성과 재격합률은 같다.
  • ④ 캐리어의 재결합률은 전자와 홀의 농도에 비례한다.

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69. 다음 에너지 대역에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
  • ① 전도대와 가전자대 사이 영역을 금지대라 한다.
  • ② 원자간 거리가 멀어져 고립되면 에너지 준위의 갈라짐이 발생한다.
  • ③ 가전자로 채워져 있는 허용 에너지대를 가전자대라 한다.
  • ④ 금지 대역폭(energy band gap)의 크기에 따라 도체, 반도체, 절연체로 구분한다.

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70. 다음 중 캐리어의 확산 거리에 대한 설명으로 옳은 것은?
  • ① 확산계수와는 무관하다.
  • ② 캐리어의 이동도에만 관계있다.
  • ③ 캐리어의 수명시간에만 관계있다.
  • ④ 캐리어의 수명시간과 이동도에 관계있다.

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71. 다음 중 Pauli 배타율 원리가 만족되는 분포 함수는?
  • ① Maxwell-Boltzmann
  • ② Fermi-Dirac
  • ③ Schro dinger
  • ④ Einstein

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72. 다음 중 에피텍셜(epitaxial) 성장이란?
  • ① 다결정의 Ge 성장
  • ② 다결정의 Si 성장
  • ③ 기판에 매우 얇은 단결정의 성장
  • ④ 기판에 매우 얇은 다결정의 성장

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73. Si P-N 다이오드에서의 cut-in 전압은 약 얼마인가?
  • ① 0V
  • ② 0.7V
  • ③ 7V
  • ④ 70V

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74. 다음 중 반도체의 저항이 온도에 의해 변화하는 소자는?
  • ① Thermistor
  • ② SCR
  • ③ TRIAC
  • ④ DIAC

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75. 다음 중 페르미-디락(Fermi-Dirac)의 분포함수는?
  • ① f(E) = 1+e(E-E1)/KT
  • ② f(E) = 1/(1+e(E-E1)/KT)
  • ③ f(E) = 1-e(E-E1)/KT
  • ④ f(E) = 1/(1-e(E-E1)/KT)

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76. 전자의 운동량(P)과 파장(λ) 사이의 드브로이(DeBroglie) 관계식은? (단, h 는 Plank 상수)
  • ① P = λh
  • ② P = h/λ
  • ③ P = λ/h
  • ④ λ = 1/Ph

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77. 금속체 내에 있는 전자가 표면장벽을 넘어서 금속 밖으로 방출되기 위하여 필요한 최소의 에너지를 가리키는 것은?
  • ① 광 에너지
  • ② 운동 에너지
  • ③ 페르미 준위
  • ④ 일 함수

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78. 다음 중 이동도(μ)의 단위로 옳은 것은?
  • ① cm/Vㆍs
  • ② cm2/Vㆍ-s
  • ③ cm2/s
  • ④ cm/s

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79. 낙뢰와 같이 급격한 서지 전압(Surge Voltage)으로부터 회로를 보호하기 위하여 전원이 인가되는 초단에 주로 사용되는 소자는?
  • ① 서미스터
  • ② 바리스터
  • ③ 쇼트키 다이오드
  • ④ 제너 다이오드

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80. 전자가 외부의 힘(열, 빛, 전장)을 받아 핵의 구속력으로부터 벗어나 결정 내를 자유로이 이동할 수 있는 자유전자의 상태로 존재하는 에너지대는?
  • ① 충만대(filled band)
  • ② 가전자대(valence band)
  • ③ 전도대(conduction band)
  • ④ 금지대(forbidden band)

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5과목 : 전자계산기일반
81. 10진 카운터(counter) 회로를 설계하기 위해서 몇 개의 단으로 구성해야 되는가?
  • ① 2단
  • ② 4단
  • ③ 8단
  • ④ 10단

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82. 다음 중 어드레싱(addressing) 방법이 아닌 것은?
  • ① direct addressing
  • ② indirect addressing
  • ③ relative addressing
  • ④ temporary addressing

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83. 다음 중 명령 fetch에 대한 동작 순서가 옳은 것은?

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84. 다음 중 어드레싱 모드(addressing mode)에서 현재의 명령어 번지와 프로그램 카운터의 합으로 표시되는 방식은?
  • ① direct addressing mode
  • ② indirect addressing moded
  • ③ absolute addressing mode
  • ④ relative addressing mode

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85. 컴퓨터에서 물리적인 메모리 주소에 가상 메모리 주소를 배정하는 기법을 무엇이라 하는가?
  • ① interrupt
  • ② mapping
  • ③ merging
  • ④ overlapping

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86. 다음 중 순서도(Flow chart)작성 시 장점에 속하지 않는 것은?
  • ① 코딩하기가 쉽다.
  • ② 분석과정이 명료해 진다.
  • ③ 라인 프린터의 속도가 신속하다.
  • ④ 논리적 오차나 불합리한 점을 쉽게 발견할 수 있다.

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87. 다음 논리식을 간략화 한 것으로 옳은 것은?   
  • ① A(B+C)
  • ② (A+B)C
  • ③ 1
  • ④ A+B+C

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88. 다음 중 소프트웨어적으로 인터럽트의 우선 순위를 결정하는 인터럽트 형식은?
  • ① 폴링 방법에 의한 인터럽트
  • ② 벡터 방식에 의한 인터럽트
  • ③ 수퍼바이저 콜에 의한 인터럽트
  • ④ 데이지체인 방법에 의한 인터럽트

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89. 다음 중 자기 보수성(Self-Complement)의 특징을 갖고 있는 코드는?
  • ① Excess-3 code
  • ② Gray code
  • ③ BCD code
  • ④ Parity code

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90. 다음 보기의 연산은?
  • ① MOVE 연산
  • ② Complement 연산
  • ③ AND 연산
  • ④ OR 연산

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91. 채널(channel)의 종류가 아닌 것은?
  • ① counter channel
  • ② selector channel
  • ③ multiplexer channel
  • ④ block multiplexer channel

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92. 숫자나 문자 등의 키보드(Keyboard) 입력을 2진 코드로 부호화하는데 사용될 수 있는 소자는?
  • ① 인코더(Encoder)
  • ② 디코더(Decoder)
  • ③ 멀티플렉서(Multiplexer)
  • ④ 디멀티플렉서(Demultiplexer)

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93. 흐름도(flowchart) 기호와 그 용도의 관계가 옳지 않은 것은?
  • ① : 각종 처리되는 작용
  • ② : 일반적인 입ㆍ출력 작용
  • ③ : 비교, 판단
  • ④ : 흐름의 중단된 부분 연결

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94. 중앙처리장치의 주요기능에 대한 내용 중 옳지 않은 것은?
  • ① 기억기능-레지스터(register)
  • ② 연산기능-연산기(ALU)
  • ③ 전달기능-누산기(accumulator)
  • ④ 제어기능-조합회로와 기억소자

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95. 연산자(operation)의 기능에 속하지 않는 것은?
  • ① 기억 기능
  • ② 제어 기능
  • ③ 전달 기능
  • ④ 함수연산 기능

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96. 다음 중 에러를 찾아서 교정을 할 수 있는 코드는?
  • ① hamming code
  • ② ring counter code
  • ③ gray code
  • ④ 8421 code

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97. 순차접근(Sequential Access) 방식을 사용하는 장치는?
  • ① 반도체 메모리
  • ② 자기드럼
  • ③ 자기테이프
  • ④ 자기디스크

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98. ASCII 코드의 존(zone)비트와 디짓(digit)비트의 구성으로 옳게 표시한 것은?
  • ① 존 비트 : 4. 디짓 비트 : 3
  • ② 존 비트 : 3. 디짓 비트 : 4
  • ③ 존 비트 : 4. 디짓 비트 : 4
  • ④ 존 비트 : 3. 디짓 비트 : 3

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99. 프로그래밍 언어의 종류 중 객체 지향적인 프로그래밍 언어는?
  • ① FORTRAN
  • ② ALGOL
  • ③ 어셈블리어
  • ④ C++

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100. 어셈블리 언어(Assembly Language)로 된 프로그램을 기계어(Machine Language)로 변환하는 것은?
  • ① Compiler
  • ② Transiator
  • ③ Assembler
  • ④ Language Decoder

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